產品類型: IGBT 電晶體
FGH4L50T65MQDC50 放大圖片" />
技術:
Si
封裝/外殼: TO-247-4LD
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 650 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.45 V
柵極發射機最大電壓: - 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C: 100 A
Pd - 功率消耗 : 246 W
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
系列: FGH4L50T65MQDC50
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 100 A
