IKW50N65SS5XKSA1 放大圖片" /> 製造商: Infineon
產品類型: IGBT 電晶體
技術: Si
封裝/外殼: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 650 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.35 V
柵極發射機最大電壓: - 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C: 80 A
Pd - 功率消耗 : 274 W
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT5 S5
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
產品類型: IGBT Transistors