NSS60600MZ4T1G是一款低飽和電壓和高增益組合使得此雙極晶體管成為適用于節電高速開關應用中的理想器件的三極管

品牌：ON（安森美） 封裝：SOT-223 引腳數： 4 PIN（ 1000個/圓盤）

NSS60600MZ4T1G的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid NSS60600MZ4T1G
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 1656429834
零件包裝代碼 SOT-223 (TO-261) 4 LEAD
包裝說明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
針數 4
制造商包裝代碼 0.0318
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Malaysia
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 64 weeks
風險等級 0.93
Samacsys Description ON Semi NSS60600MZ4T1G PNP Bipolar Transistor, -6 A, -60 V SOT-223
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 7
外殼連接 COLLECTOR
最大集電極電流 (IC) 6 A
集電極-發射極最大電壓 60 V
配置 SINGLE
最小直流電流增益 (hFE) 70
JEDEC-95代碼 TO-261AA
JESD-30 代碼 R-PDSO-G4
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 4
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 2 W
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
標稱過渡頻率 (fT) 100 MHz
最大關閉時間（toff） 685 ns
最大開啟時間（噸） 280 ns

本公司主營是二三極管，MOS管和邏輯IC等，這邊有ON，ST，TI，NXP，ADI，美臺，英飛凌和微芯等一系列的原裝進口的電子元器件，這邊也有國產品牌，如果你這邊有需要的話，也是可以添加我們的聯系方式。如果你這邊有需要的話，或者有技術上的問題，也是添加上面的聯系方式

NSS60600MZ4T1G ON(安森美)
PLT10HH1026R0PNL MURATA(村田)
PTN78000WAS TI(德州儀器)
SGM3005XMS/TR SGMICRO(圣邦微)
TC4428EOA Microchip(微芯)
TLV1117-33IKVURG3 TI(德州儀器)
TPS3710DSER TI(德州儀器)
TPS61097A-33DBVR TI(德州儀器)
XCZU5EV-1SFVC784I XILINX(賽靈思)
293D107X9010C2TE3 Vishay(威世)
AT25128B-SSHL-B Microchip(微芯)
ATSAMD20E18A-MU Atmel(愛特梅爾)
IC-HD7
LMX2470SLEX NS(國半)
OPA690IDR TI(德州儀器)
SN74ALVC244PWR TI(德州儀器)
STM32G071CBU6TR ST(意法)
TLV7011DCKR TI(德州儀器)
293D227X9010D2TE3 Vishay(威世)
INA826AIDGK TI(德州儀器)
L6225DTR ST(意法)
LM2575S-ADJ NS(國半)
MT48LC4M32B2B5-6AIT:L micron(鎂光)
MXL608-AG-T Maxlinear（邁凌）
NVD5C464NT4G ON(安森美)
PI3USB302-AZBEX Diodes(美臺)
PIC16F1503-E/ST Microchip(微芯)
SGM8199A1XC6G/TR SGMICRO(圣邦微)
TCM2-33X+ Mini-Circuits
THGBMHG8C2LBAIL TOSHIBA(東芝)
UCC37324DR TI(德州儀器)
VUO86-12NO7 IXYS(艾賽斯)
XC7Z030-1SBG485I XILINX(賽靈思)
10CX085YU484I6G INTEL(英特爾)
2016L030DR Littelfuse(力特)
32.768KHZ SEIKO(精工)
3266W-1-104LF Bourns(伯恩斯)
74LVC125ABQ Nexperia(安世)
BA4580RF-E2 Rohm(羅姆)
BAS21DW5T1G ON(安森美)
BDX53C ST(意法)
CC2650F128RGZR TI(德州儀器)
HM2103NLT Pulse(YAGEO)
LM536015QDSXRQ1 TI(德州儀器)
LPS3015-222MRC Coilcraft(線藝)
LSM6DS0TR ST(意法)
MMSZ5228BT1G ON(安森美)
NCP81269MNTXG ON(安森美)
PCF85134HL/1 NXP(恩智浦)
PMBTA06 Philips(飛利浦)
RK860-2 RockChip(瑞芯微)
SIC631CD-T1-GE3 Vishay(威世)
STM32F103C6T7A ST(意法)
TDA51S-41HC MORNSUN(金升陽)
TMUX1136DGSR TI(德州儀器)
TPS54540QDDARQ1 TI(德州儀器)
TPS767D301MPWPREP TI(德州儀器)
TS3A24159DRCR TI(德州儀器)
W25Q32JVSIQ WINBOND(華邦)
XC6219B182MR TOREX(特瑞仕)
AD8015ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
ADUM141D0BRQZ ADI(亞德諾)
AT45DB041E-SSHN2B-T ADESTO(領迎)
ATXMEGA64A4U-AU Microchip(微芯)
BSZ075N08NS5 Infineon(英飛凌)
DS1314S-2+T&R Maxim(美信)
LFCN-7200+ Mini-Circuits
LM4041C12IDBZR TI(德州儀器)
MAX3421EEHJ+T Maxim(美信)
MJE3055T Freescale(飛思卡爾)
PTH05060WAH TI(德州儀器)
SN74CB3T3125PWR TI(德州儀器)
STP3NK90Z ST(意法)
24LC128T-I/ST MIC(昌福)
ACS724KMATR-65AB-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
ADA4898-2YRDZ-R7 ADI(亞德諾)
BCM43217KMLG Broadcom(博通)
BTS7004-1EPP Infineon(英飛凌)
DS2Y-S-DC12V Panasonic(松下)
ECMF02-2HSMX6 ST(意法)
ESP32-C3-MINI-1-H4 ESPRESSIF 樂鑫
FM1808-70-SG FM(復旦微)
LM4040D25IDBZR TI(德州儀器)
MBRM110LT1G ON(安森美)
MC33204DTBR2G ON(安森美)
ME6211C18M5G-N Me-TECH(美臺高科)
MSP430FR5964IRGZR TI(德州儀器)
MUR460 ON(安森美)
PIC16F1825T-I/SL Microchip(微芯)
SL18860DCT SILICON LABS(芯科)
STHV1600L ST(意法)
UC3842BVD1R2G ON(安森美)
VND600SP13TR ST(意法)
XCS20-3PQ208C XILINX(賽靈思)
ACPL-244-500E Avago(安華高)
AD711JNZ ADI(亞德諾)
AT93C46DN-SH-B Atmel(愛特梅爾)
CGHV96100F2 CREE(科銳)
LD1117DTTR ST(意法)
LM3401MM/NOPB TI(德州儀器)
M24C32-FDW6TP ST(意法)
MAX6658MSA+T Maxim(美信)