91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 企業新聞

IPD65R420CFD

發布時間:2024/3/21 11:15:00 訪問次數:94 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 8.7 A
Rds On-漏源導通電阻: 420 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83.3 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
系列: CoolMOS CFD2
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 8 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: SP000891704 IPD65R42CFDXT IPD65R420CFDBTMA1

單位重量: 330 mg


SMAJ24CA-E3/61
BYV26A-TAP
BYV26D-TAP
BYV26EGP-E3/54
BYV26D-TAP
BYV26D-TAP
BYV26EGP-E3/54
TPS61183RTJR
TPS61183RTJR
FDD8447L-F085
BAW56 E6327
DAC7578SPWR
DAC7578SPWR
LP3892ESX-1.5/NOPB
LP3892ESX-1.5/NOPB
NSS1C201MZ4T3G
MBRB20200CTT4G
NSS1C201MZ4T3G
NSS1C201MZ4T1G
NSS1C201MZ4T3G
MBRB20200CTT4G
UC28023DWR

上一篇:TPS68470YFFR

下一篇:IPD65R600E6

相關新聞

相關型號



 復制成功!
仪陇县| 雅江县| 沁源县| 依安县| 乌兰浩特市| 靖远县| 台南县| 巢湖市| 长宁县| 扎赉特旗| 大英县| 河间市| 屏南县| 呈贡县| 宁波市| 延川县| 佛学| 文成县| 铅山县| 蚌埠市| 黄石市| 邹平县| 靖宇县| 嘉荫县| 怀仁县| 资讯| 两当县| 连州市| 吉林市| 鄯善县| 通山县| 北安市| 铜川市| 奉化市| 内乡县| 孟村| 阿尔山市| 龙里县| 合阳县| 黄骅市| 大安市|