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IPD65R600E6

發布時間:2024/3/21 11:16:00 訪問次數:97 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 7.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 540 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 23 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
系列: CoolMOS E6
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
零件號別名: IPD65R6E6XT SP000800216 IPD65R600E6BTMA1

單位重量: 330 mg


UC28023DWR
UC28023DWR
MBRB20100CTG
MBRB20200CTT4G
MBRB20100CTT4G
MBRB20H100CT-E3/81
MBRB20H100CT-E3/81
MBR735
MBR735G
SS16HE3_A/H
SS16HE3/61T
SS16HE3_A/H
BAV99-E3-08
VS-16TTS08PBF
BAV99W
BAV99 NXP
BAV99LT1G
BAV99LT3G
BAV99-E3-08
BAV99-V-GS08

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