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NTD60N02RT4G

發布時間:2024/4/2 13:52:00 訪問次數:81 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 62 A
Rds On-漏源導通電阻: 8.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.87 W
通道模式: Enhancement
系列: NTD60N02R
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: onsemi
配置: Single
下降時間: 33 ns
正向跨導 - 最小值: 27 S
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
產品: MOSFET Small Signals
產品類型: MOSFET
上升時間: 33 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
寬度: 6.22 mm

單位重量: 330 mg

MTP23P06V
MTP23P06V
BAT54WT1G
BAV99 NXP
BSP76 E6433
1N5386BG
1N5341BG
1N5358BRLG
1N5359BRLG
1N5347BRLG
1N5355BRLG
1N5374BRLG
1N5378BRLG
1N5338BRLG
MPS8099G
TPS7A6533QKVURQ1
TPS7A6533QKVURQ1
TPS7A6050QKVURQ1
PCA9306GM
PCA9306GM
US2JA


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