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SISS27DN-T1-GE3

發布時間:2024/4/2 13:53:00 訪問次數:85 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 5.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 92 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
系列: SIS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 52 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 65 ns
典型接通延遲時間: 16 ns

單位重量: 1 g

1N5358BRLG
1N5359BRLG
1N5347BRLG
1N5355BRLG
1N5374BRLG
1N5378BRLG
1N5338BRLG
MPS8099G
TPS7A6533QKVURQ1
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TPS7A6050QKVURQ1
PCA9306GM
PCA9306GM
US2JA
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MBR0520LT1G
BY228GP-E3/54

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