發布時間:2024/4/16 9:30:00 訪問次數:104 發布企業:深圳市鑫遠鵬科技有限公司
onsemi采用平面技術供電的 1,700 V M1 SiC MOSFET 可處理負柵極電壓和尖峰，以滿足高速需求。20 V 時可實現最佳性能，但即使在 18 V 時也能保持平穩運行。1,700 V M1 SiC MOSFET 速度極快，利用平面技術來抑制負柵極電壓和柵極尖峰。
特性 D2PAK-7L 封裝可實現低共源電感 18 V 至 20 V 柵極驅動 1,700 V M1 技術：28 MΩ RDS(ON)低 EON和 EOFF損失 100% 通過雪崩測試 應用 工業應用 NTBG1000N170M1
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