制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 800 mA
Rds On-漏源導通電阻: 4.6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 12.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Depletion
系列: IXTP08N50
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 52 ns
正向跨導 - 最小值: 340 mS
產品類型: MOSFET
上升時間: 54 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
單位重量: 2 g
IXFH20N80P
IXFH22N50P
IXFH22N60P
IXFH24N80P
IXFH24N90P
IXFH26N50P
IXFH26N60P
IXFH30N50P
IXFH30N60P
IXFH36N50P
IXFH36N60P
IXFH44N50P
IXFH52N30P
IXFH5N100P
