制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-268-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 70 A
Rds On-漏源導通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 67 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 690 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFT70N20
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 9 ns
正向跨導 - 最小值: 32 S
濕度敏感性: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 24 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
單位重量: 6.500 g
IXTP08N100P
IXTP08N120P
IXTP10N60P
IXTP10N60PM
IXTP12N50P
IXTP12N50PM
IXTP14N60P
IXTP14N60PM
IXTP16N50P
IXTP16N50PM
IXTP1N100P
IXTP1N120P
IXTP1N80P
