制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 185 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 290 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 20 ns
正向跨導 - 最小值: 11 S
產品: Power MOSFET Modules
產品類型: MOSFET
上升時間: 27 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: X2-Class
典型關閉延遲時間: 47 ns
典型接通延遲時間: 19 ns
單位重量: 2 g
IXTP24N65X2
IXTP24N65X2M
IXTP2N65X2
IXTP34N65X2
IXTP4N65X2
IXTP4N70X2
IXTP4N70X2M
IXTP8N65X2
IXTP8N65X2M
IXTP8N70X2
IXTP8N70X2M
IXTQ34N65X2M
