制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 170 V
Id-連續漏極電流: 220 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 500 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFK220N17
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 150 ns
正向跨導 - 最小值: 105 S
高度: 26.16 mm
長度: 19.96 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 160 ns
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子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 44 ns
寬度: 5.13 mm
單位重量: 10 g
IXFN240N15T2
IXFN320N17T2
IXFN360N15T2
IXFN520N075T2
IXFP110N15T2
IXFP130N10T2
IXFP180N10T2
IXFP230N075T2
IXFP76N15T2
IXFT150N17T2
