制造商: IXYS
產品種類: 分立半導體模塊
RoHS: 詳細信息
產品: Power MOSFET Modules
類型: GigaMOS Trench T2 HiperFet
技術: Si
Vr - 反向電壓 : 75 V
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
安裝風格: Chassis Mount
封裝 / 箱體: SOT-227-4
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: IXFN240N15
封裝: Tube
商標: IXYS
下降時間: 145 ns
Id-連續漏極電流: 240 A
Pd-功率耗散: 830 W
產品類型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源導通電阻: 5.2 mOhms
上升時間: 125 ns
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子類別: Discrete Semiconductor Modules
商標名: HiPerFET
晶體管極性: N-Channel
典型關閉延遲時間: 77 ns
典型接通延遲時間: 48 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
單位重量: 30 g
IXFT320N10T2
IXFT340N075T2
IXFT400N075T2
IXFX220N17T2
IXFX240N15T2
IXFX320N17T2
IXFX360N15T2
IXFX520N075T2
IXFZ520N075T2
IXTA100N04T2
IXTA110N055T2
IXTA110N12T2
