制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 200 A
Rds On-漏源導通電阻: 4.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 109 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 360 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXTP200N055
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 27 ns
正向跨導 - 最小值: 50 S
高度: 9.15 mm
長度: 10.66 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 49 ns
典型接通延遲時間: 26 ns
寬度: 4.83 mm
單位重量: 2 g
IXTA140N12T2
IXTA160N04T2
IXTA170N075T2
IXTA200N055T2
IXTA200N055T2-7
IXTA220N04T2
IXTA220N04T2-7
IXTA230N075T2
IXTA230N075T2-7
IXTA260N055T2
