制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 130 A
Rds On-漏源導通電阻: 8.5 mOhms
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 360 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXTP130N10
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 28 ns
正向跨導 - 最小值: 93 S
高度: 9.15 mm
長度: 10.66 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 47 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 44 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
寬度: 4.82 mm
單位重量: 2 g
IXTQ102N15T
IXTQ130N10T
IXTQ130N15T
IXTQ130N20T
IXTQ160N075T
IXTQ160N10T
IXTQ160N10T
IXTQ180N10T
IXTQ182N055T
IXTH260N055T2
IXTQ200N10T
IXTQ48N20T
