制造商: IXYS
產品種類: 分立半導體模塊
RoHS: 詳細信息
產品: Power MOSFET Modules
類型: Trench
技術: Si
Vr - 反向電壓 : 50 V
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
安裝風格: Chassis Mount
封裝 / 箱體: SOT-227-4
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: IXTN200N10T- Gen1
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
Id-連續漏極電流: 200 A
通道數量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 550 W
產品類型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源導通電阻: 5.5 mOhms
10
子類別: Discrete Semiconductor Modules
商標名: HiPerFET
晶體管極性: N-Channel
單位重量: 30 g
IXTP42N15T
IXTP44N10T
IXTP48N20T
IXTP50N25T
IXTP50N28T
IXTP55N075T
IXTP70N075T2
IXTP56N15T
IXTP60N10T
IXTP60N10TM
