制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 49 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 176 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXTP60N10
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 37 ns
正向跨導 - 最小值: 42 S
高度: 9.15 mm
長度: 10.66 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 40 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 43 ns
典型接通延遲時間: 27 ns
寬度: 4.82 mm
單位重量: 2 g
IXFP8N85X
IXFP8N85XM
IXFQ24N60X
IXFQ30N60X
IXFQ50N60X
IXFQ60N60X
IXFQ8N85X
IXFT26N100XHV
IXFT30N85XHV
IXFT32N100XHV
IXFT40N85XHV
