制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 73 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXTP60N20
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 13 ns
正向跨導 - 最小值: 40 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 33 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
單位重量: 2 g
IXTH32N65X
IXTH52N65X
IXTH64N65X
IXTP20N65X
IXTP20N65XM
IXTP32N65X
IXTP32N65XM
IXTQ32N65X
IXFA12N65X2
IXFA18N65X2
