制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 160 A
Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 79 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXTP160N04
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 16 ns
正向跨導 - 最小值: 38 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 27 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
單位重量: 2 g
IXFH220N06T3
IXFH270N06T3
IXFP220N06T3
IXFP270N06T3
IXTA230N04T4
IXTA270N04T4
IXTA270N04T4-7
IXTA340N04T4
IXTA340N04T4-7
IXTA380N036T4-7
IXTH270N04T4
