制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 17 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 80 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 325 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 28 ns
正向跨導 - 最小值: 36 S
產品: Power MOSFET Modules
產品類型: MOSFET
上升時間: 14 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Trench T2
典型關閉延遲時間: 39 ns
典型接通延遲時間: 21 ns
單位重量: 2 g
IXFK52N100X
IXFK66N85X
IXFK90N60X
IXFN110N85X
IXFN52N100X
IXFN66N85X
IXFN70N100X
IXFN74N100X
IXFN90N85X
IXFP14N85X
IXFP14N85XM
IXFP18N60X
