DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。NV SRAM可以用來直接替代現有的8k x 8 SRAM，符合通用的單字節寬、28引腳DIP標準。這些器件還與2764 EPROM及2864 EEPROM的引腳排列匹配，可直接替換并增強其性能。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

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