制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 48 ns
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產品類型: MOSFETs
上升時間: 60 ns
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 55 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
寬度: 5.31 mm
單位重量: 6 g
MSP430F2370IRHAT
BTN7960B
IPD90N04S4-03
MAX3747BEUB+T
MAX44285TAUA+T
LM3100MHX/NOPB
MAX1742EEE+T
BTS6163D
IP00C812A
MCP2515T-E/SO
MBR30100CT
MBI5324GLQ
MMA6255AKEGR2
BTN7971B
LM98555CCMHX/NOPB
LM98555CCMH/NOPB
HD74HCT244TELL
RD74LVC574BTELL
TPS40211QDGQRQ1
