產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 240 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 335 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
通道模式: Enhancement
商標名: Linear L2
系列: IXTH30N60
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 43 ns
正向跨導 - 最小值: 10 S
高度: 21.46 mm
長度: 16.26 mm
產品類型: MOSFETs
上升時間: 65 ns
30
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Linear L2 Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 123 ns
典型接通延遲時間: 43 ns
寬度: 5.3 mm

單位重量: 6 g

TPS40211QDGQRQ1

MCP2515T-I/ST

MCP2515T-E/ST

FSFR1800XS

ADG1408YRUZ

SC16IS752IPW

LM3103MHX/NOPB

SNRTB-RLG-V2W-1

MIC29302WU

LM3431AQMHX/NOPB

LEMWS59R80HZ2D00

WRF2424S-1WR2

LM5575QMHX/NOPB

BTS3405G

MJD112

LM5576Q0MH/NOPB

IPD80P03P4L-07

TLE7259-2GE

MAX44285TAUA+T

TLE4207G

MCP2515T-I/SO