IRFR1205TRPBF Infineon英飛凌功率NMOS 55V 44A 107W

IRFR1205TRPBF特性
超低通電阻
貼片安裝(IRFR1205TRPBF)
快速切換
全雪崩等級
無鉛

IRFR1205TRPBF說明
IRFR1205TRPBF是國際整流器公司生產的第五代HEXFET采用先進的工藝技術，實現了硅片面積上最低的導通電阻。這種優勢，再加上HEXFET功率MOSFET所具有的快速開關速度和堅固的器件設計，為設計人員提供了在各種應用中使用的一種極其高效的器件。
PAK設計用于表面安裝，采用氣相、紅外或波焊技術直引線版本(IRFU系列)適用于通孔安裝應用。在典型的表面安裝應用中，功率損耗可達1.5W。

產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 37 A
Rds On-漏源導通電阻: 27 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 43.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 60 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFETs
上升時間: 69 ns
工廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 47 ns
典型接通延遲時間: 7.3 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg


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