IRFR3410TRPBF Infineon英飛凌功率NMOS 100V 31A 110W
IRFR3410TRPBF應用
高頻直流-直流轉換器
無鉛
IRFR3410TRPBF特性
柵極到漏極電荷低,可降低開關損耗
完全特性化電容,包括有效的 COSS 以簡化設計
完全特性化的雪崩電壓 和電流
產品屬性 屬性值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 31 A
Rds On-漏源導通電阻: 39 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 37 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 13 ns
正向跨導 - 最小值: 33 S
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFETs
上升時間: 27 ns
工廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 40 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg
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