IR35204MTRPBF 的詳細參數
參數名稱
參數值
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
8299738455
包裝說明
QFN-40
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
4 weeks
風險等級
1.73
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2022-03-08 20:10:55
YTEOL
6.5
模擬集成電路 - 其他類型
SWITCHING CONTROLLER
控制技術
PULSE WIDTH MODULATION
最大輸入電壓
3.63 V
最小輸入電壓
2.9 V
標稱輸入電壓
3.3 V
JESD-30 代碼
S-XQCC-N40
長度
5 mm
濕度敏感等級
2
功能數量
1
端子數量
40
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
UNSPECIFIED
封裝代碼
HVQCCN
封裝等效代碼
LCC40,.2SQ,16
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流溫度(攝氏度)
NOT SPECIFIED
座面最大高度
0.9 mm
表面貼裝
YES
切換器配置
BUCK
最大切換頻率
2000 kHz
端子形式
NO LEAD
端子節距
0.4 mm
端子位置
QUAD
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
寬度
5 mm
IR35204MTRPBF DC-DC電源管理芯片的特性與應用
引言
隨著電子設備的日益普及,對高效能電源管理解決方案的需求愈加迫切。電源管理芯片作為現代電子設備中的重要組成部分,其性能直接影響設備的整體效率與穩定性。在眾多電源管理芯片中,IR35204MTRPBF以其優越的性能和廣泛的應用領域而備受關注。本文將深入探討IR35204MTRPBF的特性、應用領域及其設計考慮,分析其在不同環境下的表現。
IR35204MTRPBF的基本特性
IR35204MTRPBF是一款高效的DC-DC電源管理芯片,采用的是雙通道輸出設計。其工作電壓范圍廣泛,適合多種應用場合。芯片支持多種拓撲結構,包括降壓、升降壓等,能夠滿足不同需求。
該芯片的最大輸出電流可達40A,具有較高的輸出功率和較低的電壓紋波。此外,其內置的高效MOSFET使得IR35204MTRPBF在轉換效率方面表現優異,通常能達到90%以上的轉換效率。這使得它尤其適合用于需要高功率密度的應用場合,例如服務器、圖形處理單元(GPU)和高效計算機系統等。
應用領域
IR35204MTRPBF在多個領域展現了出色的應用潛力。首先,在信息技術領域,該芯片可以用于服務器電源管理,為中央處理單元(CPU)和其他重要組件提供穩定的電力供應。此外,在高性能GPU等計算密集型應用中,它也能有效提升系統的性能和能效。
其次,在通信設備中,IR35204MTRPBF同樣發揮著重要作用。隨著5G技術的發展,通信設備對電源的要求也愈發苛刻。該芯片能夠實現高效的電源管理,保證設備在極端環境下的穩定性和可靠性。
此外,在消費電子領域,IR35204MTRPBF為智能手機、平板電腦及其他便攜設備提供了高效能電源管理解決方案。隨著消費者對設備便攜性和續航能力的需求增加,該芯片具有的高轉換效率和小型化設計使其成為市場的理想選擇。
設計考慮
在設計IR35204MTRPBF電源管理系統時,工程師需要考慮多個因素,以確保其性能達到預期。首先,布局設計至關重要。IR35204MTRPBF芯片的引腳配置需要合理安排,以減少電流回路的長度,從而降低電磁干擾(EMI)和電壓紋波。同時,合適的旁路電容和濾波器的設計能夠進一步增強系統的穩定性。
其次,選擇合適的輸入和輸出電容是電源管理設計的關鍵。由于IR35204MTRPBF具有較大的輸出電流,輸出電容的選擇能夠影響負載瞬態響應特性,確保在負載變化時系統能夠迅速調整以維持輸出電壓的穩定。此外,輸入電容的配置也同樣重要,它可以降低輸入電壓的紋波,確保電源管理系統在穩定的條件下運行。
溫度管理也是設計中不可或缺的因素。高功率運行時,IR35204MTRPBF會產生一定的熱量,因此需要根據具體應用場景設計適當的散熱方案。熱管理設計中可以涉及使用散熱片、強制風冷或其他方式,以維持芯片在安全操作溫度范圍內。
性能優化
為了進一步提升IR35204MTRPBF的性能,開發者可利用高頻開關技術來優化其開關頻率。通過選擇適當的開關頻率,可以在保持高效率的情況下減小外部濾波器的尺寸,從而降低系統的整體成本和體積。但與此同時,較高的開關頻率也可能會增加EMI,因此在設計中需要對這些因素進行權衡。
此外,采用多相輸出配置能夠有效提升系統的功率密度和效率。多相設計可以平衡各相之間的輸出電流,減小各個組成部件的負擔,從而提升整體系統的效率。IR35204MTRPBF支持這種多相設計,適應新興高效能電源的需求。
另外,隨著數字電源管理技術的發展,通過數字控制的方式也能夠進一步優化IR35204MTRPBF的性能。這種解決方案允許工程師在工作平臺上實現實時監控,并通過調整參數來適應不同的負載條件,提高系統的靈活性和性能穩定性。
結語
IR35204MTRPBF作為一款高效、靈活的DC-DC電源管理芯片,在現代電子設計中占據著重要地位。其在性能和應用方面的優勢,使得它能夠適應多樣化的市場需求。在未來,隨著技術的不斷進步,IR35204MTRPBF有望在更廣泛的領域中發揮其潛力,推動電源管理領域的發展。
IR3504MTRPBF
INFINEON(英飛凌)
KLMBG4GEUF-B04Q
SAMSUNG(三星)
LM25011MY
TI(德州儀器)
LMR33640DDDAR
TI(德州儀器)
LT1933IS6
LINEAR(凌特)
MT7975DN
MediaTek.Inc(聯發科)
STK672-632AN-E
ON(安森美)
TMS320DM365ZCE21
TI(德州儀器)
A64
Allwinner(全志)
AD1584BRTZ
ADI(亞德諾)
AD8051ARTZ
ADI(亞德諾)
AD9767AST
ADI(亞德諾)
C4D15120D
CREE(科銳)
GD32F405VGH6
GD(兆易創新)
H5ANBG8NABR-XNC
HC32F003C4PA
HDSC(華大)
IRF7341
Infineon(英飛凌)
LMC7211AIM5
NS(國半)
MAX3483ESA
Maxim(美信)
MAX3667ECJ
Maxim(美信)
MAX708SESA
ON(安森美)
NTS0102GT
NXP(恩智浦)
STM32F101RDT6
ST(意法)
TPS51206DSQ
TI(德州儀器)
VN808CM
ST(意法)
AD711JRZ
ADI(亞德諾)
IS42S16320B-6TL
ISSI(美國芯成)
LM2673S-ADJ
TI(德州儀器)
LM60BIM3
TI(德州儀器)
LMP8601QMA
TI(德州儀器)
M28W320FCT70N6
ST(意法)
MAX3232ID
Maxim(美信)
RFFM4252TR7
Qorvo(威訊聯合)
TDA8547TS
Philips(飛利浦)
AD7747ARUZ
ADI(亞德諾)
ADG1634BRUZ
ADI(亞德諾)
ADG508FBRNZ
ADI(亞德諾)
FAN6961SY
Fairchild(飛兆/仙童)
IRF7103
Infineon(英飛凌)
LM555CM
TI(德州儀器)
LM6134AIM
TI(德州儀器)
LMZ10503TZ
MC7448THX1400ND
NXP(恩智浦)
MPQ4316GRE-AEC1-Z
MPS(美國芯源)
SN74LVC1G04DCK
TI(德州儀器)
A5G35H120NT2
AD5444YRMZ
ADI(亞德諾)
ADUM1201
ADI(亞德諾)
BQ24610RGE
TI(德州儀器)
EVQ-V0B00115B
FDMS7658AS
ON(安森美)
LMV7235M5
TI(德州儀器)
LT1931AES5
ADI(亞德諾)
LT8390EFE
ADI(亞德諾)
LTC1968CMS8
LINEAR(凌特)
LTC2900-1IMS
ADI(亞德諾)
MAX3485CSA
Maxim(美信)
PM41068B1-FEI
PM8043B-F3EI
PMC-Sierra
S9S12G192F0VLF
NXP(恩智浦)
SI52143-A01AGM
SILICON LABS(芯科)
XC3S2000-5FGG676C
XILINX(賽靈思)
DS26LV32ATMX/NOPB
NS(國半)
LM2675MX-3.3/NOPB
TI(德州儀器)
LM5164QDDARQ1
TI(德州儀器)
LM2575SX-5.0/NOPB
NS(國半)
SN65HVD3088EDR
TI(德州儀器)
TLV2372IDGKR
TI(德州儀器)
OPA140AIDBVR
TI(德州儀器)
TPS560430XFDBVR
TI(德州儀器)
TPS2493PWR
TI(德州儀器)
ADP3339AKCZ-3.3-R7
ADI(亞德諾)
ADXL203CE-REEL
ADI(亞德諾)
AD627ARZ-R7
ADI(亞德諾)
ADC128S022CIMTX/NOPB
TI(德州儀器)
TLV75801PDRVR
TI(德州儀器)
ADG408BRZ-REEL7
ADI(亞德諾)
SQJ469EP-T1_GE3
Vishay(威世)
SN74CB3Q3257DBQR
TI(德州儀器)
TPS7A1633DGNR
TI(德州儀器)
ADR421BRZ-REEL7
ADI(亞德諾)
DP83867ERGZT
TI(德州儀器)
ADL5380ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
AD5700-1ACPZ-RL7
ADI(亞德諾)
LMG1020YFFR
TI(德州儀器)
NTR1P02LT1G
ON(安森美)
S1M-E3/61T
Vishay(威世)
SN74HC541DWR
TI(德州儀器)
EP4CE40F29C6N
ALTERA(阿爾特拉)
TPS76901DBVR
TI(德州儀器)
BQ32002DR
TI(德州儀器)
ST3232CTR
ST(意法)
553MILFT
Renesas(瑞薩)
EP3C40F780C8N
ALTERA(阿爾特拉)
TPS74201RGWR
TI(德州儀器)
FDS3672
ON(安森美)
XCF01SVO20C
XILINX(賽靈思)
PCM1802DBR
Burr-Brown(TI)
AD7928BRUZ-REEL7
ADI(亞德諾)
ISL21080CIH315Z-TK
Intersil(英特矽爾)
FDC6333C
Fairchild(飛兆/仙童)
LTM4622EY#PBF
LINEAR(凌特)
LM5156DSSR
TI(德州儀器)
ABM3-8.000MHZ-D2Y-T
ABRACON
BSC110N15NS5
Infineon(英飛凌)
DS2411R+T&R
Maxim(美信)
FDC6324L
ON(安森美)
TPS7A1601DGNR
TI(德州儀器)
ADM7170ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
PDS5100H-13
Diodes(美臺)
TPS7B8233QDGNRQ1
TI(德州儀器)
LMR14006YDDCR
TI(德州儀器)
DS2E-SL2-DC12V
Panasonic(松下)
AU5411A-QMR
OP2177ARMZ-REEL
ADI(亞德諾)
TPS70445PWPR
TI(德州儀器)
PIC16F819-I/P
MIC(昌福)
STM32F439IGT6
ST(意法)
BSP171PH6327
Infineon(英飛凌)
CDCLVP1208RHDR
TI(德州儀器)
LM358ADGKR
TI(德州儀器)
MMSZ5267BT1G
ON(安森美)
GST5009LF
Pulse(YAGEO)
XC6SLX150-3FGG676I
XILINX(賽靈思)
NCP1529MUTBG
ON(安森美)
HCPL-7800A-000E
Avago(安華高)
IRF8707TRPBF
IR(國際整流器)
M24128-BRMN6TP
ST(意法)
AD8422ARZ-R7
ADI(亞德諾)
AD8616ARMZ-REEL
ADI(亞德諾)
M74VHC1GT08DFT2G
ON(安森美)
RTL8211FSI-VS-CG
REALTEK(瑞昱)
LPC4337JET100
NXP(恩智浦)
SN74HC86DR
TI(德州儀器)
TPS79933QDDCRQ1
TI(德州儀器)
XCR3128XL-10VQG100C
XILINX(賽靈思)
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
Renesas(瑞薩)
DFLS160-7
Diodes(美臺)
TMS320F28377DZWTQR
TI(德州儀器)