FDD5614P 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid FDD5614P
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 End Of Life
Objectid 4001117273
零件包裝代碼 DPAK-3 / TO-252-3
包裝說明 TO-252, 3 PIN
制造商包裝代碼 369AS
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 2 days
風險等級 6.92
Samacsys Description Last Shipments - 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 52A, 15mΩ
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
雪崩能效等級（Eas） 90 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (ID) 15 A
最大漏源導通電阻 0.1 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-252
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 42 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 45 A
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

FDD5614P 場效應晶體管的特性與應用

引言

場效應晶體管（FET）作為一種重要的電子元件，其在現代電子設備中扮演著不可或缺的角色。FDD5614P是其中一種廣泛應用的場效應晶體管，其獨特的性能和優勢使其在眾多電子應用中被廣泛采用。本文將探討FDD5614P的基本特性、工作原理、應用領域以及其在技術發展中的地位。

FDD5614P的基本特性

FDD5614P是一個N溝道增強型場效應晶體管。其主要特點包括低導通電阻、較高的電流處理能力和較大的柵源電壓范圍。具體參數上，FDD5614P通常具有30V的最大漏源電壓（V_DS）和50A的最大漏極電流（I_D）。此外，其柵源電壓（V_GS）通常在-20V到+20V之間，適合多數低壓應用場合。

FDD5614P使用標準的TO-220封裝，適應于散熱管理并可便于在電路板上的布置。其內部結構由多層半導體材料構成，晶體管的通斷由柵極電壓的施加來控制。這種結構設計使得其對溫度變化非常敏感，能夠準確響應信號的變化。

工作原理

FDD5614P的工作原理基于電場效應。通過在柵極施加電壓，能夠在源極與漏極之間形成一個潛在的導電通道。當柵源電壓達到一定閾值時，通道中的載流子開始流動，從而使漏極電流增大。由于其工作依賴于電場的控制，FDD5614P在整個工作過程中具備較高的輸入阻抗，且在信號處理時不會對輸入信號造成明顯的負載影響。

在增強型FET中，柵極電壓的變化直接影響通道的導電性。通過控制柵源電壓，可以調節漏極電流的大小，實現不同的電流導通狀態。這一特性使得FDD5614P在開關電源、放大器和各種信號處理電路中得到了廣泛應用。

應用領域

FDD5614P廣泛應用于多個領域，其中包括開關電源、直流電動機驅動、電信設備和消費電子。開關電源是現代電力管理系統的重要組成部分，FDD5614P在此類應用中的高效能，如低導通損耗和高電流處理能力，使其成為非常理想的選擇。其在高頻開關電源中，保證了轉換效率和穩壓性能，得到了廣泛的關注。

在電動機驅動方面，FDD5614P可實現高性能的控制系統。由于其能夠穩定有效地提供高電流，該晶體管完成電機調速和驅動控制的性能大幅提升。同時，其低熱量生成和高靈活性的特性，為電動機的高效運轉提供了良好的基礎。尤其是在需要頻繁切換的應用中，FDD5614P的可靠性和穩定性能夠確保電機的平穩運行。

在消費電子領域，FDD5614P同樣具有廣泛的應用前景。現代消費電子產品如智能手機、平板電腦和個人計算機中，FDD5614P可以用于電源管理、電壓調節以及信號放大等多種功能。這些功能的實現依賴于FDD5614P的高效能和穩定性，使得電子產品在使用過程中能夠提供更好的用戶體驗。

性能優化與設計考慮

在設計使用FDD5614P的電路時，設計者需要考慮如何優化其工作性能。熱管理是一個關鍵要素，FDD5614P在高電流下工作時會產生一定的熱量，因此合理的散熱設計是非常重要的。這通常涉及到良好的散熱器設計和散熱粘接材料的選擇，以確保晶體管在安全溫度范圍內運行，從而延長其使用壽命。

在電路布局方面，盡量縮短FDD5614P與負載之間的連接距離可以降低電感和電阻，實現更為快速的開關響應。這一技巧在高頻應用中尤為重要，快速的電流切換能夠有效降低開關損失。此外，設計者還需要仔細選擇驅動電路，以確保FDD5614P在開關過程中，無論在上升或下降時間上都能獲得最佳性能。

另外，電源干擾及其抑制也是需要關注的一方面。在快速開啟和關閉的過程中，可能產生高頻噪聲，這會影響整個電路的工作性能。為此，合理的布局和屏蔽設計可以有效降低這種影響，提高系統的穩定性。

技術發展趨勢

隨著科技的不斷進步，FDD5614P及其類似產品的技術也在不斷升級。新材料和新工藝的應用，推動了晶體管性能的持續提升。例如，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體材料的出現，使得新一代的場效應晶體管在電壓承受能力和開關速度方面獲得了顯著的改善。這些新材料在高功率應用中展現出優異的性能，有望在未來替代傳統的硅基器件。

此外，物聯網（IoT）和智能設備的發展進一步推動了對高效能低功耗電力管理設備的需求。這種趨勢促使FDD5614P及其后繼產品繼續向更低的導通電阻、更高的頻率和更小的體積方向發展，以滿足市場日益增長的需求。

尤為重要的是，智能化的趨勢將為場效應晶體管的應用提供新的機遇。基于人工智能和機器學習的智能控制系統，將會依賴于高可靠性的電子元件，FDD5614P在這一領域可能會發揮更為關鍵的角色。

FDD5614P ON(安森美)
TPS62040DGQR TI(德州儀器)
DRV8301DCAR TI(德州儀器)
MC7805CTG ON(安森美)
MIC2026-1YM-TR MIC(昌福)
TMS320F28377DPTPS TI(德州儀器)
AT24CM01-SSHM-T Atmel(愛特梅爾)
PGA309AIPWR TI(德州儀器)
TL074IDR TI(德州儀器)
IPD50P04P4L-11 Infineon(英飛凌)
MP2303ADN-LF-Z MPS(美國芯源)
TPS3803-01DCKR TI(德州儀器)
FT232RNL-REEL FTDI(飛特帝亞)
MCP1703T-3302E/MB MIC(昌福)
SHT30-DIS-B2.5KS Sensirion(瑞士盛思銳)
L78L05ACD13TR ST(意法)
OPA1652AIDR TI(德州儀器)
GD32F103TBU6 ST(意法)
88E6321-A0-NAZ2I000 Marvell(美滿)
MT41K512M16HA-125:A micron(鎂光)
PN5120A0HN1/C2 NXP(恩智浦)
TPS79901DDCR TI(德州儀器)
BM8563ESA BELLING(上海貝嶺)
EP53A8HQI ALTERA(阿爾特拉)
MX25L3233FM2I-08G MXIC(旺宏)
GD32F450VIT6 GD(兆易創新)
NTD5867NLT4G ON(安森美)
PIC18F4620-I/P MIC(昌福)
LM2901DR2G TI(德州儀器)
NRF52833-QDAA-R NORDIC
FM24V10-GTR Cypress(賽普拉斯)
NCV4274ADT50RKG ON(安森美)
IPB107N20N3G Infineon(英飛凌)
STD18N55M5 ST(意法)
INA121U Burr-Brown(TI)
AZ1045-04F.R7G AMAZING(晶焱)
TPS54561DPRR TI(德州儀器)
MC9S12DP512MPVE NXP(恩智浦)
SPL06-001
FAN2001MPX ON(安森美)
BTS441RG Infineon(英飛凌)
PI3740-00-LGIZ Vicor Corporation
FDY3000NZ ON(安森美)
M24C16-WMN6TP ST(意法)
PCA9548APWR NXP(恩智浦)
IPB015N08N5 Infineon(英飛凌)
NT5CC256M16ER-EKI Nanya Technology
FSA2257L10X ON(安森美)
GBPC3512A IR(國際整流器)
VN7050AJTR ST(意法)
NVMFD5C446NWFT1G ON(安森美)
IRFS4115TRLPBF Infineon(英飛凌)
OPA228U Burr-Brown(TI)
EPM3256ATI144-10N ALTERA(阿爾特拉)
AD7683ARMZ ADI(亞德諾)
IWR6843ARQGALPR TI(德州儀器)
MIMX8ML8DVNLZAB NXP(恩智浦)
LP2985AIM5-3.3 TI(德州儀器)
DSP56321VF275 Freescale(飛思卡爾)
FDS8958A Fairchild(飛兆/仙童)
IRF540N ST(意法)
LMZ31707RVQ TI(德州儀器)
LT1764AEQ LINEAR(凌特)
IRF4905S Infineon(英飛凌)
ADAU1979WBCPZ ADI(亞德諾)
LTM4644EY LINEAR(凌特)
PS219A4-RW Mitsubishi Electric (三菱)
MAX31865ATP Maxim(美信)
DRV8835DSSR TI(德州儀器)
MAX485CSA+T Maxim(美信)
TPS65251RHAR TI(德州儀器)
TPS70933DRVR TI(德州儀器)
MBR230LSFT1G ON(安森美)
INA240A2PWR TOSHIBA(東芝)
PIC18F67K40-I/PT Microchip(微芯)
ATMEGA32L-8AU Atmel(愛特梅爾)
MBRM120LT1G ON(安森美)
LM63615DQPWPRQ1 TI(德州儀器)
FT232BL-REEL FTDI(飛特帝亞)
BSP752T Infineon(英飛凌)
AO3407A Alpha (Taiwan)
10M02SCE144C8G ALTERA(阿爾特拉)
PI3106-00-HVMZ Vicor Corporation
MCP2562T-E/SN Microchip(微芯)
MOC3021M ON(安森美)
ICL7107CPLZ Intersil(英特矽爾)
XCF02SVO20C XILINX(賽靈思)
ESDA6V1L ST(意法)
LNK364PN Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
UPD720202K8-701-BAA-A NEC
DSPIC30F6010A-30I/PT MIC(昌福)
AW9523BTQR AW(艾為)
SN74LVC3G17DCUR TI(德州儀器)
VNQ660SPTR-E ST(意法)
ATM90E32AS-AU-R Atmel(愛特梅爾)
STM8S007C8T6 ST(意法)
TLV2333IDR TI(德州儀器)
STM32H757XIH6 ST(意法)
TL074CDT TI(德州儀器)
AD9650BCPZ-105 ADI(亞德諾)
FDMS86101 ON(安森美)
MCIMX6D6AVT08AD Freescale(飛思卡爾)
XC3S250E-4TQG144C XILINX(賽靈思)
XCKU15P-2FFVA1156E XILINX(賽靈思)
QPA9501TR13 Qorvo(威訊聯合)
ADM2486BRWZ ADI(亞德諾)
SY8008BAAC SILERGY(矽力杰)
AD8210YRZ ADI(亞德諾)
ADM1485ARZ ADI(亞德諾)
AD8032ARZ ADI(亞德諾)
MSP430F5418AIPN TI(德州儀器)
MK10DN32VFM5 NXP(恩智浦)
AD5780ACPZ ADI(亞德諾)
MK60FN1M0VMD12 NXP(恩智浦)
BCM3390ZKFSBG Broadcom(博通)
LM317AMDT TI(德州儀器)
MKL17Z64VFM4 NXP(恩智浦)
LM5575MHX TI(德州儀器)
SAK-TC233L-32F200NAC Infineon(英飛凌)
MAX3471EUA+ Maxim(美信)
VNH5180A ST(意法)
MCZ33905CS5EK NXP(恩智浦)
LM2675M-5.0/NOPB NS(國半)
TLV320AIC3106IRGZR TI(德州儀器)
OPA2170AIDR TI(德州儀器)
LM2576HVT-ADJ/NOPB TI(德州儀器)
SN74AVC8T245RHLR TI(德州儀器)
AD9833BRMZ-REEL7 ADI(亞德諾)
DM3AT-SF-PEJM5 Hirose(廣瀨電機)
LFCN-80+ Mini-Circuits
BQ27421YZFR-G1A TI(德州儀器)
STPMIC1APQR ST(意法)