IPW60R070C6 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid IPW60R070C6
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 2141400867
零件包裝代碼 TO-247AA
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 3
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
風險等級 8.26
Samacsys Description Trans MOSFET N-CH 600V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 3
雪崩能效等級（Eas） 1135 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (ID) 53 A
最大漏源導通電阻 0.07 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247AA
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 391 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 159 A
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 NO
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

IPW60R070C6 場效應管的特性與應用研究

引言

在現代電子技術中，功率器件作為電力電子系統的核心組件，承擔著控制和轉換電能的重任。場效應管（FET）作為一種主要的功率器件，因其具有高輸入阻抗、快速開關特性以及較高的熱穩定性等優點，被廣泛應用于各類電子設備中。本文主要探討IPW60R070C6場效應管的電氣特性、工作原理、應用領域以及市場前景。

1. 場效應管的基本原理

場效應管是一種以電場效應為控制機制的晶體管。與雙極型晶體管相比，FET的輸入阻抗更高，輸出特性更穩定。FET主要分為兩類：增強型和耗盡型。其工作原理基于控制導電通道內的電流大小，常見的FET包括MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）、JFET（結型場效應管）等。

2. IPW60R070C6的基本參數

IPW60R070C6是一款N溝道MOSFET，是意法半導體（STMicroelectronics）推出的一款高功率元件。其主要技術參數包括：耐壓600V、持續導通電流70A、最大功耗320W等。這些參數使其非常適合用于高壓和高功率的應用場合。

2.1 關鍵參數

- V_DS（漏源電壓）：最大耐壓為600V，確保在高電壓環境中穩定工作。 - I_D（漏電流）：70A的持續電流能力，滿足各種大功率應用的需求。 - R_DS(on)：選擇性低導通電阻，0.070Ω使得其在導通時能有效降低功率損耗。 - 開關特性：具有良好的開關性能，適用于高頻率的開關電源和逆變器應用。

2.2 熱特性

熱特性是影響功率器件效率和可靠性的關鍵因素。IPW60R070C6的最大結溫可達150°C，同時其較高的熱傳導能力，也使其在高溫環境下能夠穩定工作。在實際應用中，通過適當的散熱設計，可以顯著提升設備的整體性能和使用壽命。

3. IPW60R070C6的工作機理

IPW60R070C6作為N溝道MOSFET，其工作原理可簡述為：通過在柵極施加正電壓使得源極與漏極之間形成導電通道，從而實現電流的控制。這一過程可以簡化為以下幾個步驟：

1. 柵極充電：施加正電壓后，柵極下方的p型半導體中由于電場的作用，形成電子的富集區，形成導電通道。 2. 導通與關斷：當柵電壓超過一定閾值（即門限電壓），漏源之間的通道打開，此時電流能夠流過。當柵電壓低于閾值時，通道關閉，電流不再流動。 3. 反向恢復特性：在關斷狀態，由于MOSFET的特殊結構，其反向恢復特性優于傳統的二極管，減少了開關過程中的能量損失。

4. 應用領域

IPW60R070C6由于其卓越的性能，被廣泛應用于電源管理、逆變器、變頻器、電機驅動等多個領域。

4.1 開關電源

在開關電源中，MOSFET作為主要開關元件，負責控制電流的流動與切換。IPW60R070C6的高速開關特性使其能夠在開關頻率較高的情況下依舊有效降低功耗，并提升系統的整體效率。

4.2 逆變器

逆變器的主要功能是將直流電轉換為交流電。在這一過程中，MOSFET的高耐壓和大電流能力，使得IPW60R070C6成為理想的選擇。其低導通電阻有效降低了逆變器的能耗，并提高了系統的穩定性。

4.3 直流電機驅動

在直流電機驅動應用中，MOSFET用于控制電機的啟動、停止及速度調節。IPW60R070C6的高效能能夠確保電機在各種負載下的平穩運行，延長電機的使用壽命。

5. 市場前景與持續發展

隨著電力電子技術的不斷進步以及行業對高效、高可靠性元器件的需求增加，IPW60R070C6的市場潛力巨大。現代社會對節能環保的高度重視，促使各類大型設備逐漸向高效能模式轉型。在這一過程中，IPW60R070C6所提供的高效性與穩定性為其在電子元器件市場的競爭中占據了重要地位。

6. 結語

IPW60R070C6場效應管憑借其獨特的電氣特性以及廣泛的應用領域，成為現代電源管理和電動車輛等技術中不可或缺的重要組件。隨著技術的不斷進步，該器件的性能有望在未來進一步提升，為新一代電子設備的開發提供新的可能性。通過深入研究其工作原理與應用，可以為提高電力電子系統的效率與可靠性打下更加堅實的基礎。

IPW60R070C6 Infineon(英飛凌)
LSM303DLHCTR ST(意法)
LT9211 Lontium(龍迅)
MCP6001UT-E/OT Microchip(微芯)
TLV3011AMDBVREP TI(德州儀器)
ATTINY48-AU Microchip(微芯)
HCPL-7800-000E Agilent(安捷倫)
HFBR-1412TZ Avago(安華高)
HFBR-1524Z Avago(安華高)
NJVNJD2873T4G ON(安森美)
PCM5100AQPWRQ1 TI(德州儀器)
STTH3006W ST(意法)
AD7903BRQZ ADI(亞德諾)
ADC08D1520CIYB/NOPB TI(德州儀器)
CAT24C04YI-GT3 ON(安森美)
MC74AC00DR2G MOTOROLA(摩托羅拉)
PIC16LF628A-I/SS Microchip(微芯)
S29GL01GP11TFIR10 SPANSION(飛索)
VNH3SP30-E ST(意法)
AD9246BCPZ-105 ADI(亞德諾)
ADSP-21489BSWZ-4A ADI(亞德諾)
ADSP-BF548BBCZ-5A ADI(亞德諾)
LS1021AXN7MQB NXP(恩智浦)
UA741CDT ST(意法)
SZ1SMB5938BT3G ON(安森美)
ISL9V5036S3ST Freescale(飛思卡爾)
SN74LVC1G332DBVR TI(德州儀器)
TC620CVOA Microchip(微芯)
XA7Z020-1CLG484Q XILINX(賽靈思)
XCZU4EV-2SFVC784I XILINX(賽靈思)
1SMA5924BT3G ON(安森美)
APL3552ABI-TRG ANPEC(茂達電子)
HEF4528BT Nexperia(安世)
PCA9532PW NXP(恩智浦)
SN74LS07DBR TI(德州儀器)
TL061CDR TI(德州儀器)
500020657 LSI/CSI
CAT25128VI-GT3 ON(安森美)
ESP32-D0WDQ6 ESPRESSIF 樂鑫
IRFB7430PBF Infineon(英飛凌)
STM32F405RGT6TR ST(意法)
ADUC812BSZ ADI(亞德諾)
BTS7200-4EPA Infineon(英飛凌)
DS90UB913ATRTVRQ1 TI(德州儀器)
XC6SLX100T-3FGG676I XILINX(賽靈思)
LM62460QRPHRQ1 TI(德州儀器)
MCIMX6Y2DVM09AB Freescale(飛思卡爾)
MJD45H11RLG ON(安森美)
PIC12F635-I/SN Microchip(微芯)
PIC18LF6622-I/PT Microchip(微芯)
SN75HVD11DR TI(德州儀器)
BC856 Philips(飛利浦)
LMK03318RHST TI(德州儀器)
MC79L05ACDR2G TI(德州儀器)
MOC3023 LITEON(臺灣光寶)
RT6214BHGJ6F RICHTEK(臺灣立锜)
SN65HVD1040AQDRQ1 TI(德州儀器)
XC6VLX130T-1FFG784I XILINX(賽靈思)
CY14E256LA-SZ25XI Cypress(賽普拉斯)
MAX98357AEWL+T Maxim(美信)
MKM34Z256VLL7 Freescale(飛思卡爾)
NCV7718DPR2G ON(安森美)
PC28F128J3F75A INTEL(英特爾)
TCAN1046VDMTRQ1 TI(德州儀器)
TEA19162T/2 NXP(恩智浦)
XC7K325T-1FBG900I XILINX(賽靈思)
XCZU21DR-2FFVD1156I XILINX(賽靈思)
ATAES132A-SHER-T Microchip(微芯)
NFE31PT152Z1E9L MURATA(村田)
DRV8906QPWPRQ1 TI(德州儀器)
F0505XT-1WR3 MORNSUN(金升陽)
JL82599ES INTEL(英特爾)
MKW21D512VHA5 Freescale(飛思卡爾)
SN74LS06N TI(德州儀器)
UPD78F9177AGB-8ES-A NEC
WT588D-20SS WT(唯創)
XC2C128-7CPG132I XILINX(賽靈思)
LM3S9D92-IQC80-A2 TI(德州儀器)
LM833DR2G TI(德州儀器)
MC7815CD2TR4G ON(安森美)
NL27WZ04DTT1G ON(安森美)
SN65HVD21MDREP TI(德州儀器)
U.FL-R-SMT-1 Hirose(廣瀨電機)
1SMB5942BT3G ON(安森美)
ADM708ARZ ADI(亞德諾)
FQD7P06TM ON(安森美)
L6563TR ST(意法)
M48T08-150PC1 ST(意法)
MT25QL256ABA1EW9-0AAT micron(鎂光)
NCV1406SNT1G ON(安森美)
STM32F205RGT7 ST(意法)
TLV3501AIDR TI(德州儀器)
TMC2226-SA-T Trinamic Motion Control GmbH
TMS320C6748EZWT4 TI(德州儀器)
AM1808EZWTA3 TI(德州儀器)
AO8814 AOS(萬代)
ATMEGA1281V-8AU Atmel(愛特梅爾)
HX5004NL Pulse(YAGEO)
LM1085IS-3.3 TI(德州儀器)
LT6911UXC Lontium(龍迅)
ME4057ASPG MICRONE(南京微盟)
SAB-C167CR-LM Infineon(英飛凌)
TS5A23167DCUR TI(德州儀器)
10M25DCF484C8G ALTERA(阿爾特拉)
74LVC1G74DP Nexperia(安世)
93LC86CT-I/SN Microchip(微芯)
CY8C29666-24PVXI Cypress(賽普拉斯)
GD25Q40CTIG GD(兆易創新)
MX25L25645GZNI-08G MXIC(旺宏)
AD5758BCPZ ADI(亞德諾)
ADG1211YRUZ ADI(亞德諾)
ADS8665IPWR TI(德州儀器)
HC32L130J8TA HDSC（華大）
HDSP-2133 Avago(安華高)
LM22675MRX-ADJ TI(德州儀器)
MIC26603YJL-TR Microchip(微芯)
PI6C557-05BLE Diodes(美臺)
RTL8192FR-CG REALTEK(瑞昱)
AD8602DRZ ADI(亞德諾)
INA125U Burr-Brown(TI)
MT48LC4M32B2B5-6A micron(鎂光)