NTA4001NT1G的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid NTA4001NT1G
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 1988503677
零件包裝代碼 SC-75 (SOT-416) 3 LEAD
包裝說明 SC-70, 3 PIN
針數 3
制造商包裝代碼 463-01
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 2 days
風險等級 1.04
Samacsys Description N-channel MOSFET Transistor, 0.238 A, 20 V, 3-pin SC-75
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 6.5
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源擊穿電壓 20 V
最大漏極電流 (ID) 0.238 A
最大漏源導通電阻 3.5 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 6 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

NTA4001NT1G 場效應管的應用與特性

場效應管（Field Effect Transistor，FET）是在現代電子技術中廣泛使用的一種半導體器件。相較于其他類型的晶體管，比如雙極性晶體管（BJT），場效應管具有更高的輸入阻抗、更少的功耗以及更好的高頻性能。NTA4001NT1G作為一種具體型號的場效應管，因其獨特的電氣特性和廣泛的應用范圍而受到電子工程師的關注。

NTA4001NT1G的基本特性

NTA4001NT1G是一種N溝道增強型場效應管，具有良好的開關特性和驅動能力。它的主要參數包括漏源電壓、漏電流以及柵源電壓等。與其他FET相比，NTA4001NT1G的低導通電阻和高導通電流使其在高頻開關電源、放大電路以及數字電路中表現出色。

NTA4001NT1G的漏源電壓一般可以承受高達30V的電壓，而漏電流則可達到最高12A。由于這些特性，該器件在功率管理和信號處理中的應用變得尤為重要。這些參數不僅影響了FET本身的性能，也在一定程度上影響了與之配合使用的其他電子組件的設計。

工作原理

NTA4001NT1G的工作原理基于電場效應。在N溝道MOSFET中，柵極與溝道之間存在絕緣層，因此柵極電壓的變化不會直接影響漏極和源極之間的電流流動。當施加的柵源電壓達到閾值電壓后，柵極產生的電場會使得溝道中的載流子濃度增加，從而實現電流的導通。

在非導通狀態下，FET內部的電子無法在漏極和源極之間流動。當柵源電壓達到一定值（閾值電壓）時，溝道中的電子被吸引到柵極下方，形成一個導電通道，從源極到漏極之間的電流則得以流動。調節柵源電壓的變化可以控制漏極電流的大小，這也是場效應管廣泛用于模擬和數字電路的原因之一。

制造工藝

NTA4001NT1G采用了成熟的CMOS工藝制造，該工藝不僅保證了器件的高性能，同時也能夠有效降低生產成本。由于其高可靠性和良好的電氣性能，NTA4001NT1G逐漸成為了多種高性能電路的首選元件。

在制造過程中，首先選擇高質量的硅材料作為基底，在其表面進行氧化處理以形成絕緣層。然后，通過摻雜工藝形成N型和P型區域，構建起MOSFET的結構。最后，通過金屬化工藝制備柵極、電源和漏極等電極，從而完成NTA4001NT1G的制造。

應用領域

NTA4001NT1G在多個應用領域中發揮著重要作用。首先，在電源管理系統中，由于其能夠高效地控制電流， NTA4001NT1G常被用于開關電源中。開關電源是現代電子產品中至關重要的組成部分，能夠有效將輸入電源轉換為所需的輸出電壓。

其次，在放大器電路中，NTA4001NT1G憑借其優良的增益特性和頻率響應，常被用作信號放大器。例如，在射頻電路中，它可用于提升來自天線的微弱信號，確保信號的強度滿足后續處理的需求。

除了以上應用，NTA4001NT1G還廣泛存在于各種數字電路設計中。在CMOS邏輯電路中，這種場效應管可用于構建邏輯門和其他基礎電路。由于NTA4001NT1G的高輸入阻抗，極大地減少了電路中信號的衰減，使得復雜數字系統能夠高效穩定運行。

性能評估

為了評估NTA4001NT1G的性能，通常需要進行一系列的測試。泄漏電流、導通電阻和開關速度是評估其性能的幾個關鍵參數。不同應用場景對這些參數有不同的要求，因此，適應性測試也是非常重要的。通過不同的測試環境和條件，可以更全面了解器件的性能局限性和應用潛力。

在電源電路中，低導通電阻可以有效降低功耗，而在高頻應用中，開關速度則顯得尤為重要。必須根據實際應用需求進行詳細的性能評估，以確保選擇的場效應管滿足設計要求。

未來發展

隨著技術的不斷進步，對場效應管的性能要求也在不斷提高。NTA4001NT1G作為一種廣泛使用的場效應管，其未來的研究方向可能包括 納米技術的應用、更高的集成度和更低的功耗。新材料的出現也將為NTA4001NT1G的發展提供更多可能性，從而進一步增強其在現代電子器件中的應用。

NTA4001NT1G ON(安森美)
AD8638ARZ ADI(亞德諾)
EL817 Everlight(億光)
SJA1105QELY NXP(恩智浦)
SN74AXCH1T45DCKR TI(德州儀器)
88X3310-A1-BUS4I000 Marvell(美滿)
FDB44N25TM ON(安森美)
MC9S12XDT512CAA NXP(恩智浦)
NCP3420DR2G ON(安森美)
PIC16F1827-I/SS MIC(昌福)
STM32L053R8T6TR ST(意法)
MC9RS08KA4CWJ Freescale(飛思卡爾)
MPL3115A2 Freescale(飛思卡爾)
MPC8358EVRAGDGA Freescale(飛思卡爾)
TCAN1043ADRQ1 TI(德州儀器)
S9KEAZN64AMLH NXP(恩智浦)
ADM2482EBRWZ ADI(亞德諾)
CP2104-F03-GM SILICON LABS(芯科)
HI3516ERBCV300 Hisilicon
MCIMX535DVP2C2 NXP(恩智浦)
MMPF0100F6AEP NXP(恩智浦)
MT29F4G08ABAEAWP:E micron(鎂光)
AD8627AKSZ ADI(亞德諾)
ADR444BRZ ADI(亞德諾)
BUK7K6R8-40E NXP(恩智浦)
LAN8187I-JT Microchip(微芯)
DLPA2005ERSLR TI(德州儀器)
LM50CIM3 TI(德州儀器)
MT41K64M16TW-107 micron(鎂光)
AD7680BRMZ ADI(亞德諾)
MIC4420YM Microchip(微芯)
AD8032ARMZ ADI(亞德諾)
DP83848TSQ TI(德州儀器)
IR4427S IR(國際整流器)
MP1494DJ-LF-Z MPS(美國芯源)
ADAU1962AWBSTZ ADI(亞德諾)
AT45DB041D-SSU ADESTO(領迎)
NRF51822-QFAA NORDIC
SC2342A Spreadtrum
XCKU040-2SFVA784E XILINX(賽靈思)
LM26420XMH NS(國半)
LT3010EMS8E LINEAR(凌特)
PCA9306DCU TI(德州儀器)
CY90F462APMC-G-UNE1 Cypress(賽普拉斯)
FS32K142HFT0MLH NXP(恩智浦)
MAX824SEUK Maxim(美信)
NRF52810-QCAA NORDIC
TPS73701DRBR TI(德州儀器)
SFH6156-3T Infineon(英飛凌)
TPS7A8500RGRR TI(德州儀器)
DSPIC33EP512MU810-I/PT Microchip(微芯)
DS1307ZN+T&R Maxim(美信)
AD8541ARTZ-REEL7 ADI(亞德諾)
KSZ8041FTLI-TR Microchip(微芯)
AD8226ARMZ-R7 ADI(亞德諾)
LMC6482IMX/NOPB TI(德州儀器)
OPA2171AQDRQ1 TI(德州儀器)
A3977SLPTR-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
TPS7A8500ARGRR TI(德州儀器)
ADG849YKSZ-REEL7 TI(德州儀器)
TMP411ADGKR TI(德州儀器)
OPA4192IDR TI(德州儀器)
ATA663254-GBQW Microchip(微芯)
BAS16XV2T1G ON(安森美)
MBRS330T3G ON(安森美)
IRF7832TRPBF Infineon(英飛凌)
MMSZ5242BT1G ON(安森美)
UCC23513DWYR TI(德州儀器)
ACPL-C87BT-500E Avago(安華高)
LMR23630AQDDARQ1 TI(德州儀器)
TPS61193PWPRQ1 TI(德州儀器)
SN74LVC1G00DCKR UMW(友臺半導體)
CSD95379Q3M TI(德州儀器)
OP284FSZ-REEL7 ADI(亞德諾)
EP4CGX22CF19C8N ALTERA(阿爾特拉)
MC7805CD2TR4G ON(安森美)
TPS65218D0RSLR TI(德州儀器)
INA2132UA/2K5 TI(德州儀器)
LM317MABDTRKG ON(安森美)
SN74CB3Q3257PWR TI(德州儀器)
SQM120P10_10M1LGE3 Vishay(威世)
25LC256-I/P Microchip(微芯)
24LC512-I/SN Microchip(微芯)
ATSAME70Q21B-AN Atmel(愛特梅爾)
MCP41010-I/SN Microchip(微芯)
PIC18F6520-I/PT Microchip(微芯)
ADP7142AUJZ-R7 ADI(亞德諾)
TPS25810RVCR TI(德州儀器)
ST10F273M-4T3 ST(意法)
ADG438FBRZ ADI(亞德諾)
MKL16Z128VFM4 Freescale(飛思卡爾)
TCA9517DGKRQ1 TI(德州儀器)
TOP244YN Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
BTA40-600B ST(意法)
SN74LVC08ADR TI(德州儀器)
C8051F310-GQR SILICON LABS(芯科)
NC7SZ02M5X Freescale(飛思卡爾)
TPIC6C595DR TI(德州儀器)
IRS2003STRPBF IR(國際整流器)
MURS340T3G ON(安森美)
ACS770ECB-200B-PFF-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
NCV8664ST50T3G ON(安森美)
IRF7319TRPBF IR(國際整流器)
NTUD3170NZT5G ON(安森美)
EP5358LUI INTEL(英特爾)
ISO7231CDWR TI(德州儀器)
LM339PWR TI(德州儀器)
OPA855IDSGR TI(德州儀器)