OP07CDR的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid OP07CDR
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1421087557
零件包裝代碼 SOIC
包裝說明 GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
針數 8
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia, Mexico
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.33.00.01
風險等級 1.46
Samacsys Description Low-Offset voltage (0.25mV) single operational amplifier
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
放大器類型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架構 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置電流 (IIB) 0.009 µA
25C 時的最大偏置電流 (IIB) 0.012 µA
最小共模抑制比 97 dB
標稱共模抑制比 120 dB
頻率補償 YES
最大輸入失調電壓 250 µV
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e4
長度 4.9 mm
低-偏置 NO
低-失調 YES
微功率 NO
濕度敏感等級 1
負供電電壓上限 -22 V
標稱負供電電壓 (Vsup) -15 V
功能數量 1
端子數量 8
最高工作溫度 70 °C
最低工作溫度
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
包裝方法 TR
峰值回流溫度（攝氏度） 260
功率 NO
可編程功率 NO
認證狀態 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
最小擺率 0.3 V/us
標稱壓擺率 0.3 V/us
子類別 Operational Amplifier
最大壓擺率 4.5 mA
供電電壓上限 22 V
標稱供電電壓 (Vsup) 15 V
表面貼裝 YES
技術 BIPOLAR
溫度等級 COMMERCIAL
端子面層 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子節距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
標稱均一增益帶寬 600 kHz
最小電壓增益 100000
寬帶 NO
寬度 3.9 mm

精路運放芯片 OP07CDR 的特性及應用研究

一、引言

運算放大器（Operational Amplifier，縮寫為Op-Amp）是現代電子工程中必不可少的基本元件之一。它們廣泛應用于各種模擬電路中，包括放大、濾波、積分、微分及比較等功能。其中，OP07系列運算放大器以其低噪聲、高精度和高共模抑制比而受到廣泛青睞。OP07CDR是這一系列中的一種，具有廣泛的應用前景和優越的性能參數。本文將對OP07CDR的基本特性、應用場景及其在不同領域的體現進行探討。

二、OP07CDR的基本特性

OP07CDR是一種精密運算放大器，采用金屬氧化物半導體（MOS）技術制造，具有多個顯著的性能參數。其輸入偏置電流極低，通常在幾百皮安級，確保在高阻抗電路中的優良表現。此外，OP07CDR的輸入失調電壓非常小，通常小于0.1毫伏，這在高精度應用中顯得尤為重要。

在頻率響應方面，OP07CDR具有寬廣的增益帶寬積（Gain Bandwidth Product, GBW），可達到1 MHz，這使得它在速度和穩定性上都表現出良好的平衡。此外，該器件的共模抑制比（CMRR）和電源抑制比（PSRR）也相當優秀，分別達到130 dB和100 dB，確保了其在復雜電路環境下的工作穩定性。

值得一提的是，OP07CDR的工作電壓范圍廣泛，可以在±2V到±18V的電源電壓下穩定工作，這為設計人員在不同電源條件下的應用提供了靈活性。

三、OP07CDR的應用場景

1. 數據采集系統

在現代電子測量系統中，數據采集系統需要高精度和低噪聲的前端放大器來提高信號的質量。OP07CDR因其低失調電壓和低噪聲特性，常用于各種傳感器信號的放大，如溫度傳感器、壓力傳感器等。通過將傳感器輸出信號進行放大，可以增強系統的分辨率和動態范圍，使測量結果更為準確。

2. 醫療儀器

在醫療儀器中，OP07CDR同樣發揮著重要作用。許多生物電信號的測量，例如心電圖（ECG）和腦電圖（EEG），都要求運算放大器具備極低的噪聲性能和高精度特性。利用OP07CDR進行信號的放大和處理，不僅能夠過濾掉環境噪聲的影響，還能確保測量數據的真實性和可靠性。

3. 高精度電壓參考

OP07CDR還可用于構建高精度電壓參考源。在需要穩定電壓輸出的電路中，如ADC（模數轉換器）偏置電路，OP07CDR的低溫漂移和優良的線性度能夠提供穩定的基準電壓，進而提高整個系統的精度與可靠性。

4. 音頻處理設備

在音頻處理領域，優秀的信噪比和動態范圍是確保高品質音效的關鍵。OP07CDR由于其低失真和高共模抑制比，可用于音頻信號的放大和調節，尤其是在高保真音響系統和專業錄音設備中廣泛應用。

四、設計實例

為了更好地理解OP07CDR的應用，以下將簡要描述一個基于該運算放大器的差分放大器電路設計。該電路可應用于測量微弱信號的場合，如傳感器輸出信號。差分放大器的設計主要包括選擇合適的反饋電阻和輸入電阻，以確保所需的增益和輸入阻抗。

在此電路中，OP07CDR作為核心元件，采用反相和同相輸入端進行信號處理。通過合適配置的反饋電阻，可以實現自定義增益，考慮到實際應用中的溫度和電源變化，設計時需關注電阻的溫度系數，確保電路在各種條件下均能穩定工作。同時，輸入濾波電路的加入可以進一步提高系統的抗干擾能力，確保輸出信號的清晰度。

五、市場前景與發展趨勢

隨著科技的不斷進步，電子設備對信號處理的精度和穩定性提出了更高的要求。OP07CDR憑借其優秀的性能表現，在未來的市場中有著良好的發展前景。尤其是在物聯網、智能家居、智能醫療等領域，精密運放芯片的應用將更加廣泛。

在此背景下，進一步的創新和技術改進將是提升OP07CDR等精密運算放大器市場競爭力的重要方向。未來的產品可能會在能耗、集成度、功能多樣性等方面進行發展，以滿足不斷變化的市場需求。

OP07CDR TI(德州儀器)
TMS320C6678ACYPA TI(德州儀器)
FS32K144HFT0MLLT NXP(恩智浦)
RTL8111H-CG REALTEK(瑞昱)
ATXMEGA256A3U-AU Atmel(愛特梅爾)
STM32F767IGT6 ST(意法)
XC7K325T-2FFG676I XILINX(賽靈思)
UC2844BD1R2G ST(意法)
ADM3251EARWZ ADI(亞德諾)
TXB0108PWR TI(德州儀器)
MK64FN1M0VLQ12 NXP(恩智浦)
FS32K144HFT0MLHT NXP(恩智浦)
EP4CE6E22C8N ALTERA(阿爾特拉)
LM358DT XINBOLE(芯伯樂)
STM32F030CCT6 TI(德州儀器)
REF3030AIDBZR Burr-Brown(TI)
AT24C256C-SSHL-T Microchip(微芯)
STM32F429BIT6 ST(意法)
CC430F5137IRGZR TI(德州儀器)
TJA1042T/3/1 TI(德州儀器)
KLMBG2JETD-B041 SAMSUNG(三星)
LM3481QMMX/NOPB NS(國半)
MAX3485ESA UMW(友臺半導體)
AMC1200BDWVR TI(德州儀器)
LM324DR ST(意法)
TMS320VC33PGE150 TI(德州儀器)
DS3231SN Maxim(美信)
MIC2017YM6-TR Microchip(微芯)
STM32F407IGT6 ST(意法)
ATMEGA48PA-AU Microchip(微芯)
MK64FN1M0VLL12 Freescale(飛思卡爾)
XCF32PVOG48C XILINX(賽靈思)
AD7616BSTZ ADI(亞德諾)
EPM240T100C5N ALTERA(阿爾特拉)
STM32F405VGT6 ST(意法)
STM32L431RCT6 ST(意法)
PCF8563T/5 NXP(恩智浦)
88E1512-A0-NNP2I000 Marvell(美滿)
MPU-6050 TDK(東電化)
XC2C256-7CPG132I XILINX(賽靈思)
BSS138LT1G NXP(恩智浦)
STM32F427ZIT6 ST(意法)
ATXMEGA128A1U-AU Microchip(微芯)
TPS70933DBVR TI(德州儀器)
MPXAZ6115AP Freescale(飛思卡爾)
AD822ARZ ADI(亞德諾)
ADM3053BRWZ ADI(亞德諾)
IRF3205PBF IR(國際整流器)
MURA110T3G ON(安森美)
MC7448THX1267ND Freescale(飛思卡爾)
TMS5704357BZWTQQ1 TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-05B-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
TPS92630QPWPRQ1 TI(德州儀器)
GD32F303RCT6 GD(兆易創新)
10M04DAF256C8G ALTERA(阿爾特拉)
XC6SLX9-2TQG144I XILINX(賽靈思)
LAN8720A-CP-TR Microchip(微芯)
XTR115UA/2K5 Burr-Brown(TI)
PGA204BU TI(德州儀器)
MBR0540T1G ON(安森美)
TJA1021T/20/CM TI(德州儀器)
MC79M15BDTRKG ON(安森美)
ADM2483BRWZ TI(德州儀器)
XC7K410T-2FFG900I XILINX(賽靈思)
ADS1115IDGSR TI(德州儀器)
STM8S003K3T6C ST(意法)
INA114AP Burr-Brown(TI)
MC9S12XDP512CAG NXP(恩智浦)
PIC18F46K22-I/PT Microchip(微芯)
STFW3N150 ST(意法)
STM32F072C8T6 ST(意法)
SN65HVD3082EDR TI(德州儀器)
TPA3118D2DAPR TI(德州儀器)
AT24C64D-SSHM-T Atmel(愛特梅爾)
IHW20N135R5 Infineon(英飛凌)
XCF02SVOG20C XILINX(賽靈思)
BTS50055-1TMA Infineon(英飛凌)
L78L05ABUTR ST(意法)
FS32K144HAT0MLHT ST(意法)
88E1111-B2-NDC2I000 Marvell(美滿)
LM258DR TI(德州儀器)
LM2904DR XINBOLE(芯伯樂)
STM32F767ZIT6 ST(意法)
STM32F105RCT6 ST(意法)
ATXMEGA128A4U-AU TI(德州儀器)
NCP1342AMDCDAD1R2G ON(安森美)
STM32F767BIT6 ST(意法)
XC7A100T-2FGG484I XILINX(賽靈思)
MK10DN512VLL10 Freescale(飛思卡爾)
DS18B20+ XINBOLE(芯伯樂)
MMBT3904LT1G CJ(江蘇長電/長晶)
SZNUP2105LT1G ON(安森美)
LMX2594RHAR TI(德州儀器)
MCP6002T-I/SN Microchip(微芯)
STM32F030R8T6 ST(意法)
STM32F103VBT6 ST(意法)
STM8S003F3U6TR ST(意法)
IRFR5305TRPBF VBsemi(臺灣微碧)
L7805CV ST(意法)
TJA1043T/1 NXP(恩智浦)
VN5E010AHTR-E ST(意法)
LMD18200T TI(德州儀器)
SN74LVC1G08DBVR TI(德州儀器)
LM3481MMX/NOPB NS(國半)
OPA2277UA/2K5 TI(德州儀器)
EP4CE6F17C8N XILINX(賽靈思)
GD25Q127CSIG GD(兆易創新)
TMS320F28377DPTPT TI(德州儀器)
LM1117IMPX-3.3 TI(德州儀器)
FS32K144HAT0MLLT NXP(恩智浦)
VNB35N07TR-E ST(意法)
MBRS140T3G ON(安森美)
TPS54302DDCR TI(德州儀器)
TPS74801DRCR TI(德州儀器)
AD9914BCPZ ADI(亞德諾)
MBRS1100T3G ON(安森美)