FNA25060的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
FNA25060
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
4001113657
零件包裝代碼
DIP-034
包裝說明
Module-34
制造商包裝代碼
MODFQ
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
26 weeks
風險等級
6.88
Samacsys Description
Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 50 A 34-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm)
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
模擬集成電路 - 其他類型
AC MOTOR CONTROLLER
JESD-30 代碼
R-XDMA-T34
JESD-609代碼
e3
長度
80 mm
功能數量
1
端子數量
34
最大輸出電流
100 A
封裝主體材料
UNSPECIFIED
封裝代碼
DMA
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度
8.1 mm
最大供電電壓 (Vsup)
16.5 V
最小供電電壓 (Vsup)
14 V
標稱供電電壓 (Vsup)
15 V
表面貼裝
NO
端子面層
MATTE TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
DUAL
寬度
33 mm
智能功率模塊的研究與應用
智能功率模塊（Intelligent Power Module, IPM）是一種集成了功率元件、驅動電路、保護功能以及控制邏輯的高效功率模塊。這種模塊在現代電力電子技術中扮演了重要角色，尤其是在電動汽車、可再生能源、工業自動化以及家電等領域的應用中日益顯現出其優越性。隨著科技的不斷進步，智能功率模塊的設計與制造技術也在不斷革新，其在功率轉換的效率、系統集成度和可靠性等方面展現出了巨大潛力。
一、智能功率模塊的組成
智能功率模塊的基本組成包括功率器件、驅動電路、熱管理系統以及接口電路等。功率器件通常為功率MOSFET或IGBT，這些器件在導通和關斷狀態下能夠迅速轉變，提高系統的轉換效率。驅動電路不僅承擔著控制功率器件的功能，還提供必要的保護措施，如過流、過壓和過溫保護等。此外，良好的熱管理系統能有效提高模塊的散熱性能，延長其使用壽命。
在設計智能功率模塊時，必須考慮功率器件的選擇和布局。功率器件之間的電氣、熱學及機械性能的優化組合，能夠顯著降低模塊的開關損耗和導通損耗。與此同時，新的封裝技術也在不斷被引入，如采用低熱阻的散熱材料，以進一步提升功率模塊的熱管理性能。
二、智能功率模塊的控制策略
智能功率模塊在功率變換過程中，通常需要實現對輸出電壓、電流以及功率因數的精準控制。這就需要有效的控制算法和策略。基于數字信號處理器（DSP）或FPGA的控制技術為智能功率模塊的控制提供了強大的支持。這些控制器不僅能夠執行復雜的算法，還能實時監測并調整系統狀態。
例如，模糊控制、預測控制和自適應控制等先進控制邏輯被廣泛應用于智能功率模塊的控制系統中。通過這些方法，系統能夠在負載變化時迅速響應，保持輸出的穩定性和高效性。此外，隨著人工智能技術的發展，基于機器學習的控制策略也開始進入電力電子領域，從而進一步提高了智能功率模塊的適應性和智能化水平。
三、智能功率模塊在電動汽車中的應用
電動汽車中的動力系統是非常復雜的，智能功率模塊的引入為電動汽車的電力電子系統提供了極大的便利。智能功率模塊不僅可以優化電池管理系統，還可以在電動機驅動和再生制動過程中發揮關鍵作用。
在電動汽車的電機驅動系統中，智能功率模塊能夠根據電池的狀態和電機的運行需求，實時調整輸出功率，實現高效的能量傳遞。此外，智能功率模塊內部集成的保護功能可以有效防止設備在工作過程中出現過流和過溫現象，進而保護了電動汽車的整體安全。
四、智能功率模塊在可再生能源系統中的應用
隨著全球對可再生能源的重視，智能功率模塊在太陽能和風能系統中的應用也逐漸增多。在太陽能逆變器中，智能功率模塊能夠高效地將直流電轉換為交流電，并根據電網的需求動態調整輸出功率。在風力發電系統中，智能功率模塊同樣在發電機和電網之間扮演著重要的角色，能夠優化功率輸出并提高系統的穩定性。
此外，通過與儲能設備的結合，智能功率模塊能夠對能源的存儲和釋放進行智能管理，進一步提升可再生能源系統的整體效率與穩定性。在這些應用中，智能功率模塊的高集成度和智能化控制策略為可再生能源的普及與發展提供了堅實的基礎。
五、未來發展趨勢
隨著技術的不斷進步以及對能源效率和環境保護的重視，智能功率模塊的設計與應用將繼續朝著更高的集成度、更好的性能和更智能的方向發展。新材料的應用，如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），為功率模塊的高頻、高溫工作提供了新的可能性，預計將在未來的電力電子領域占據重要地位。
同時，基于物聯網（IoT）的智能功率模塊將會成為未來的發展趨勢。通過網絡連接，智能功率模塊能夠實時獲取和傳輸數據，形成一個更加智能化的電力控制系統，以實現更高效的能源管理。
通過不斷的技術創新和優化，智能功率模塊將在電力電子系統中占據越來越重要的地位，推動相關行業的變革和發展。無論是在工業自動化、電動汽車還是可再生能源領域，智能功率模塊都將發揮出不可或缺的作用，成為實現高效、清潔能源轉換的關鍵技術之一。
FNA25060
ON(安森美)
FNB41060
ON(安森美)
G5V-1-12VDC
OMRON(歐姆龍)
HFD4/3-SR
HongFa(宏發)
IPW60R017C7
Infineon(英飛凌)
L6983CQTR
ST(意法)
LNK302DN-TL
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
MC12080DR2G
ON(安森美)
MC74AC244DWR2G
ON(安森美)
MSM7510GS-K
OKI
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
micron(鎂光)
PC400J00000F
Sharp(夏普)
PIC24FJ256GA106T-I/PT
Microchip(微芯)
SA616DK/01
NXP(恩智浦)
SSM2142SZ
ADI(亞德諾)
TIP120
ON(安森美)
TRS3223EIPWR
TI(德州儀器)
VP3203N8-G
Microchip(微芯)
24LC1025T-I/SN
MIC(昌福)
AD5336BRUZ
ADI(亞德諾)
BCM88660A0KFSBLG
Broadcom(博通)
BQ35100PWR
TI(德州儀器)
BSP75NQTA
Diodes(美臺)
BSP76E6433
Infineon(英飛凌)
BTS7960B
Infineon(英飛凌)
CH347T
WCH(南京沁恒)
DAC8532IDGK
Burr-Brown(TI)
HFBR-1414MZ
Avago(安華高)
ICE3AR0680JZ
Infineon(英飛凌)
ICE40LP384-SG32
Lattice(萊迪斯)
INA317IDGKR
TI(德州儀器)
IPD640N06LG
Infineon(英飛凌)
LE910C4-EU
Telit(泰利特)
LM2574MX-ADJ
TI(德州儀器)
LT1719IS6
ADI(亞德諾)
MC34063AP1
MOT(仁懋)
MP6901DJ-LF-Z
MPS(美國芯源)
MPQ2143DJ-AEC1-LF-Z
MPS(美國芯源)
NCP1377D1R2G
ON(安森美)
OPA2376AQDRQ1
TI(德州儀器)
PCF85163T
NXP(恩智浦)
PEX8732-CA80BCG
Broadcom(博通)
PIC18F44K22-I/PT
Microchip(微芯)
PIC18F65J50-I/PT
Microchip(微芯)
PVI1050NS
IR(國際整流器)
SKY77916-21
Skyworks(思佳訊)
STL50N6F7
ST(意法)
TBD62783AFNG
TOSHIBA(東芝)
TL3843P
TI(德州儀器)
TLV5636IDGK
TI(德州儀器)
TMS5700714APZQQ1
TI(德州儀器)
TPA5050RSAR
TI(德州儀器)
TPS780330220DDCR
TI(德州儀器)
TS3702IDT
ST(意法)
UDD32C05L01
MSKSEMI(美森科)
VN5010AKTR-E
ST(意法)
XC6SLX150T-3FGG900I
XILINX(賽靈思)
473460001
Molex(莫仕)
74LCX138MTCX
ON(安森美)
74LVC1G32GV
Philips(飛利浦)
AD8075ARUZ-REEL7
ADI(亞德諾)
ADA4350ARUZ
ADI(亞德諾)
ADL5519ACPZ
ADI(亞德諾)
ADS4229IRGCR
TI(德州儀器)
AO4616
AOS(萬代)
ASM1182E
ASMedia
AXK680337YG
Panasonic(松下)
BC817-40,215
NXP(恩智浦)
BQ27541DRZR-G1
TI(德州儀器)
COM20020I-DZD
SMC(桑德斯)
CSD16404Q5A
TI(德州儀器)
CY8C20110-SX2I
Cypress(賽普拉斯)
DS2431
Dallas (達拉斯)
ESDONCAN1LT1G
ON(安森美)
HI-1575PQI
Holt Integrated Circuits Inc.
L6201
ST(意法)
LB1909MC-BH
SANYO(三洋半導體)
LPC11U35FHI33/501
NXP(恩智浦)
M51977FP
Mitsubishi Electric (三菱)
MC9S12XA512CAL
NXP(恩智浦)
MIC2544-1YMM
MIC(昌福)
MOC3063SM
ON(安森美)
NCE60P25K
NCE Power(新潔能)
NOIP1SN1300A-QTI
ON(安森美)
PCA9512ADP
NXP(恩智浦)
PCA9547BS
NXP(恩智浦)
PIC18F8627-I/PT
Microchip(微芯)
RTS5452E-GR
REALTEK(瑞昱)
SI3456DDV-T1-GE3
Vishay(威世)
STM32F765NIH7
ST(意法)
TCA9511ADGKR
TI(德州儀器)
TLP172A
TOSHIBA(東芝)
TLP280GB
TOSHIBA(東芝)
W25Q128FWPIG
WINBOND(華邦)
WS4603E-5/TR
WILLSEMI(韋爾)
14230R-450
Echelon Corporation
24LC128-I/P
Microchip(微芯)
7447798720
Wurth(伍爾特)
AD5272BRMZ-100-RL7
ADI(亞德諾)
AD7895ARZ-10
ADI(亞德諾)
AD8655ARZ
ADI(亞德諾)
AD9117BCPZ
ADI(亞德諾)
AK4127VF-E2
AKM(旭化成)
BFR520T
Philips(飛利浦)
BTS441TG
Infineon(英飛凌)
EP5357HUI
ALTERA(阿爾特拉)
EPM7064LC84-15
ALTERA(阿爾特拉)
EUA4890MIR1
EUTECH
FDA24N40F
Freescale(飛思卡爾)
FT232RNQ
FTDI(飛特帝亞)
H26M52208FPR
SK(海力士)
HCMS-3916
Avago(安華高)
HFJ11-E1G01E-L12RL
HALO Electronics
HMC759LP3E
Hittite Microwave
