PSMN1R0-30YLC的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid PSMN1R0-30YLC
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 8254314372
包裝說明 LFPAK-4
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Philippines
ECCN代碼 EAR99
Date Of Intro 2017-02-01
風險等級 7.15
Samacsys Manufacturer Nexperia
Samacsys Modified On 2019-09-24 04:47:46
YTEOL 5.3
其他特性 HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas） 259 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (ID) 100 A
最大漏源導通電阻 0.0014 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 MO-235
JESD-30 代碼 R-PSSO-G4
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 1030 A
表面貼裝 YES
端子面層 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

PSMN1R0-30YLC 場效應管的特性與應用探討

引言

場效應管（Field Effect Transistor, FET）是一種利用半導體材料的電場效應進行控制的電子元件。與雙極型晶體管（BJT）相比，場效應管具有輸入阻抗高、功耗低、開關速度快等優點，使其在各種電子電路中得到了廣泛應用。PSMN1R0-30YLC是一款典型的N溝道增強型場效應管，具備良好的電氣特性和適用性，適合用于開關和放大電路中。

PSMN1R0-30YLC的基本特性

PSMN1R0-30YLC的主要特性包括其工作電壓、漏電流、工作溫度范圍等。根據其數據手冊，PSMN1R0-30YLC的漏源電壓（V_DSS）可以達到30V，漏電流（I_D）可達50A。這使得它在需要較高電流承載能力的應用中表現出色。此外，該器件還具有較低的漏電阻（R_DS(on)），確保了其在導通狀態下的功率損耗較小。

在工作溫度范圍方面，PSMN1R0-30YLC的額定工作溫度為-55℃到+175℃。這一特性使得它適合在各種惡劣環境下工作，尤其是在汽車和工業領域應用時，能夠保證元件的可靠性和穩定性。

應用領域

PSMN1R0-30YLC作為一種優質場效應管，廣泛應用于多個領域。首先，在電源管理應用中，該元器件可以作為開關元件使用，在DC-DC轉換器等電源模塊中，起到效率高、體積小的作用。其優異的開關特性使得能量損耗得到有效控制，延長系統的使用壽命。

其次，在電動汽車和混合動力汽車的驅動系統中，PSMN1R0-30YLC可以用于電機控制。 電動汽車在加速和減速過程中對電流的要求變化較大，使用該場效應管能夠快速響應并調節電流，從而使電動機有效地發揮其性能。同時，在高壓直流斷路器等高功率應用中，該器件的高電流承載能力為設計提供了更多的靈活性。

此外，PSMN1R0-30YLC也被廣泛應用于LED驅動器和照明設備中。隨著LED技術的發展，要求驅動電路具有高效率和低熱量產生，這使得低R_DS(on)的PSMN1R0-30YLC成為了這類應用中的理想選擇。其優異的切換速度也確保了在調光控制等場合下可以實現更高的響應速度，提升了用戶體驗。

熱管理與散熱設計

在使用PSMN1R0-30YLC時，熱管理和散熱設計不可忽視。由于場效應管在導通狀態下仍然會產生熱量，合理的散熱措施可以有效提升器件的可靠性和穩定性。考慮到其小封裝尺寸，設計時需評估PCB布局對散熱的影響。通常，可以通過增加銅箔面積、使用導熱粘合劑、或者采納主動冷卻的手段來改進散熱性能。

在電路設計中，可以使用熱仿真軟件來模擬器件工作時的熱行為。這種模擬可以幫助工程師在設計階段及時發現潛在的散熱問題，從而采取相應的改進措施。例如，在高負載條件下，確認散熱片和風道的設計是否能夠滿足熱量的散發需求，以避免器件過熱而導致的失效。

選擇與替代

在選擇PSMN1R0-30YLC時，需要根據具體的應用場景對其參數進行詳細分析。若應用環境要求更高的電壓或電流承載能力，則可能需要尋找其他型號的場效應管進行替代。此外，隨著市場技術的不斷進步，新型場效應管的推出可能會提供更優的性能和更具競爭力的價格。

在替代選擇的過程中，工程師需要綜合考慮器件的導通電阻、開關特性、散熱能力以及可靠性等因素。確保所選擇的替代元件不僅在電氣性能上能符合應用需求，還應在環境適應性和長期穩定性方面有良好的表現。

未來發展方向

隨著新能源汽車及可再生能源技術的迅猛發展，對高效能、高可靠性的電子元器件的需求不斷增加。未來，場效應管的開發將可能朝著更高的電壓、低導通電阻和更小封裝尺寸的方向發展，以適應日益增長的市場需求。此外，結合新材料技術，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），可以進一步提升場效應管的性能特性，使其在高頻、大功率應用中表現出色。

在制造工藝方面，先進的半導體制造技術將繼續推動場效應管參數的優化，使其在低溫系數、高精度驅動等應用中擁有更大的市場空間。同時，材料科學的進步也將推動電子元器件的創新，促進更省能和高效益產品的實現。

隨著技術進步，PSMN1R0-30YLC這樣的場效應管將繼續在電子產業中發揮其不可或缺的角色，推動各個領域的電路設計和應用不斷朝著更高效、更智能的方向發展。

PSMN1R0-30YLC，115 NEXPERIA（安世）
SGM61412AXTN6G/TR SGMICRO(圣邦微)
SI4134DY-T1-GE3 Vishay(威世)
SM8102ABC SILERGY(矽力杰)
SN74AUP1G32DCKR TI(德州儀器)
TOP268KG-TL Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TPS610994YFFR TI(德州儀器)
TPS73501QDRBRQ1 TI(德州儀器)
UA78L12ACPK TI(德州儀器)
V28A28T200BL Vicor Corporation
XC3S400-4FGG456C XILINX(賽靈思)
XC7A15T-2FGG484C XILINX(賽靈思)
10CL016YE144I7G INTEL(英特爾)
10TPC100M SANYO(三洋半導體)
74HC2G14GW NXP(恩智浦)
74HC4094PW NXP(恩智浦)
74LVC2T45DC TI(德州儀器)
BLM18PG121SH1D MURATA(村田)
CLA4601-000 Skyworks(思佳訊)
CRA2512-FZ-R010ELF Bourns(伯恩斯)
CY7C199CNL-15VXI Cypress(賽普拉斯)
FDMS86255 Fairchild(飛兆/仙童)
FOD8012A ON(安森美)
GD25LQ128ESIG GD(兆易創新)
M74HC595RM13TR ST(意法)
MAX16021PTES+T Maxim(美信)
MAX483EESA+T Maxim(美信)
MC74HC14ADG ON(安森美)
NCV59744MNADJTBG ON(安森美)
OPA991SIDBVR TI(德州儀器)
PIC16F18855-I/SO Microchip(微芯)
R7FA6M2AF3CFP#AA0 Renesas(瑞薩)
SIT3490EEUA SIT(芯力特)
SL353LT Honeywell(霍尼韋爾)
SN74HC00NSR TI(德州儀器)
TLC372IDR TI(德州儀器)
TUSB2077APTR TI(德州儀器)
74HC11D NXP(恩智浦)
74LVC2G08DC Nexperia(安世)
88SE9171A2-NNX2I000 Marvell(美滿)
AD5724RBREZ-REEL7 ADI(亞德諾)
ADRF5045BCCZN-R7 ADI(亞德諾)
ALFG2PF121 Panasonic(松下)
AS3722-BCTT-09 AMS(艾邁斯)
BAS70 NXP(恩智浦)
BSZ15DC02KDH Infineon(英飛凌)
CAT4104V-GT3 LSI/CSI
DF01S-T Diodes(美臺)
HMC523 Hittite Microwave
HX710B HX(恒佳興)
IHLP2525CZER220M5A Vishay(威世)
IXGH48N60C3D1 IXYS(艾賽斯)
LD1085V50 ST(意法)
LM324DG ON(安森美)
LM4040CYM3-2.5-TR Microchip(微芯)
LTM4624IY#PBF LINEAR(凌特)
M74VHC1G125DTT1G ON(安森美)
MCP1801T-3302I/OT Microchip(微芯)
MD0100N8-G Microchip(微芯)
MPC8347CVRAGDB NXP(恩智浦)
NB3N551MNR4G ON(安森美)
NB6N11SMNR2G ON(安森美)
OPA2990IPWR TI(德州儀器)
P89V51RD2FBC NXP(恩智浦)
PCMF3USB3SZ Nexperia(安世)
PI6CV304LEX Diodes(美臺)
PIC16F684-E/SL MIC(昌福)
R7FA2L1AB2DFM#AA0 Renesas(瑞薩)
RT8299AZSP RICHTEK(臺灣立锜)
SGM61030AXTEP7G/TR SGMICRO(圣邦微)
SIR640ADP-T1-GE3 Vishay(威世)
TDA75610S-ZST ST(意法)
TLE6251D Infineon(英飛凌)
TPS3828-33DBVT TI(德州儀器)
TPS563219DDFR TI(德州儀器)
TS3A27518EIPWRQ1 TI(德州儀器)
TS5A623157DGSR TI(德州儀器)
UC3854BDW TI(德州儀器)
10M08SAM153C8G ALTERA(阿爾特拉)
AD5348BRUZ ADI(亞德諾)
AD598JRZ ADI(亞德諾)
AOZ1334DI-01 AOS(萬代)
AT32F421K8T7
AT45DB081D-SSU Atmel(愛特梅爾)
ATXMEGA256A3U-AN Microchip(微芯)
BTA24-600CWRG ST(意法)
CD74HC154EN TI(德州儀器)
DG403DYZ Vishay(威世)
IKA15N60T Infineon(英飛凌)
ISP1362BDTM NXP(恩智浦)
K4A8G165WC-BITD SAMSUNG(三星)
LCMXO2280C-3TN144I Lattice(萊迪斯)
LM2904AYDT ST(意法)
LT3758AHMSE#TRPBF LINEAR(凌特)
MCP6V31T-E/OT Microchip(微芯)
MCV08A-I/SN MIC(昌福)
MX34024NF1 JAE
NVMJS2D5N06CLTWG ON(安森美)
RTL8370MBI-CG REALTEK(瑞昱)
SGM6612AYTQX13G/TR SGMICRO(圣邦微)
STD100N10F7 ST(意法)
STM32F103VCH6 ST(意法)
TDA4605-3 Infineon(英飛凌)
TG110-S050N2 HALO Electronics
TLD5098ELXUMA1 Infineon(英飛凌)
TP5400 TP(南京拓微)
XC5VLX50T-1FFG665I XILINX(賽靈思)
XC7A50T-1CSG325I XILINX(賽靈思)
XCR3256XL-12TQG144I XILINX(賽靈思)
XMSSJR6G0BA-093 MURATA(村田)
2SC2655-Y TOSHIBA(東芝)
AT25M02-SSHM-B Microchip(微芯)
CT75MMR
DAC37J82IAAV TI(德州儀器)
ENS210-LQFM AMS(艾邁斯)
FDMC8010 ON(安森美)
GD32F450IGH6 GD(兆易創新)
K4B2G1646C-HCH9 SAMSUNG(三星)
LM339MX Fairchild(飛兆/仙童)
LM3526MX-H NS(國半)