FCD5N60TM的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid FCD5N60TM
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 4001117332
零件包裝代碼 DPAK-3 / TO-252-3
包裝說明 DPAK-3
制造商包裝代碼 369AS
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks
風險等級 0.65
Samacsys Description Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 4.6 A, 950 mΩ, DPAK
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 3
雪崩能效等級（Eas） 159 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (ID) 4.6 A
最大漏源導通電阻 0.95 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 54 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 13.8 A
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

FCD5N60TM 場效應管的特性及應用研究

引言

場效應管（FET）是一種重要的電子器件，廣泛應用于現代電子電路中，尤其是在功率電子領域。FCD5N60TM是一種高壓N型場效應管，其具備優良的開關特性和高耐壓能力，因而被廣泛應用于電源管理、電機控制和其它高功率應用。本文將對FCD5N60TM的特性、結構和應用進行深入探討。

FCD5N60TM的結構特征

FCD5N60TM作為一款N溝道金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），其基礎結構由源極、漏極、柵極和基體材料組成。與傳統的雙極型晶體管相較，MOSFET采用電場控制電流，具備更高的輸入阻抗和更快的開關速度。這種特性使得FCD5N60TM在大多數應用中優于其他類型的場效應管。

FCD5N60TM的額定漏極電壓為600V，漏極電流為5A，這使其能夠在高電壓和高電流的條件下穩定工作。該器件采用了增強型柵極結構，利用氧化硅層隔離柵極和溝道，以確保其在不同工作狀態下的可靠性。在生產過程中，采用了先進的硅基材料和工藝，從而提高了器件的耐高溫和抗輻射能力。

FCD5N60TM的特性曲線顯示出優良的開關行為，尤其是在高頻操作下，其溝道電阻（RDS(on)）較小，工作時的功耗低，發熱量小。該器件還具備較短的恢復時間，使其在開關電源電路中表現出色。

FCD5N60TM的電氣特性分析

FCD5N60TM的電氣特性包含多個方面，主要體現在其導通電阻、關斷特性以及開關速度上。導通電阻RDS(on)是影響器件功率損耗的關鍵參數之一。對于FCD5N60TM而言，其RDS(on)在額定條件下通常較低，這表示在 VGS (柵源電壓) 大于閾值電壓時，器件可以提供較小的導通損耗。

在關斷狀態下，FCD5N60TM的漏電流非常微小，這使得它在待機狀態下的能量消耗顯著降低。此外，該器件在高頻條件下的開關特性也很出色，在上升時間和下降時間方面表現出優秀的特性。開關速度的提升不僅提高了電路效率，還在一定程度上降低了電磁干擾。

熱特性也是FCD5N60TM設計中的關鍵因素之一。該器件允許工作在較高的溫度范圍內，并且其熱穩定性良好，適合在高溫環境下進行長時間運行。由于器件自身的發熱以及外部環境的變化，合理的散熱設計對確保FCD5N60TM安全運行至關重要。

FCD5N60TM的應用領域

FCD5N60TM的應用范圍非常廣泛，主要包括開關電源、電動機驅動器以及其他功率轉換系統。

開關電源

開關電源是FCD5N60TM的重要應用場景。由于其具備高效的轉換能力和較低的功耗，該器件被廣泛應用于各種電源模塊中，包括適配器、充電器和DC-DC轉換器。在開關電源設計中，FCD5N60TM的高耐壓和低導通電阻特性確保了較高的能量轉換效率，使得整個電源系統更加穩定。

在開關電源的設計中，優化FCD5N60TM的驅動電路以減少開關損耗是設計中的重要考量。合理的控制策略可以使該器件在開關狀態之間迅速切換，從而降低功耗并提高電源的穩定性。

電動機驅動器

除了開關電源，FCD5N60TM也在電機驅動器中得到了廣泛應用。在電動機驅動應用中，該器件的快速開關能力和高可靠性確保了電動機的高效運作。尤其是在變頻驅動或脈寬調制（PWM）控制中的應用，FCD5N60TM能夠有效地控制電機的轉速和扭矩，提高了系統的響應速度和可靠性。

其他功率轉換系統

FCD5N60TM還可用于燈光調光、家電控制以及逆變器等多種功率轉換系統。在太陽能逆變器和風能逆變器中，FCD5N60TM起著重要的角色。通過高效轉換和管理從可再生能源系統產生的電能，FCD5N60TM的應用有助于提高整體能量利用效率，進一步推動綠色能源的發展。

結論

FCD5N60TM以其卓越的電氣特性和廣泛的應用領域，在現代電子技術中占據著重要地位。通過對其結構特征和電氣特性分析，顯然FCD5N60TM具有很強的市場競爭力，并且是未來電子器件發展的重要組成部分。在實際應用過程中，其高效率、低功耗的特性將支持更多智能、高效的電子設備的出現。

FCD5N60TM ON(安森美)
FDC645N ON(安森美)
GD25Q80CTIG GD(兆易創新)
INA240A1D TI(德州儀器)
IP175GHR IC PLUS(九陽電子)
IPT60R028G7XTMA1 Infineon(英飛凌)
ISO7331CDWR TI(德州儀器)
LCMXO3LF-2100C-5BG324C Lattice(萊迪斯)
LM293ST ST(意法)
LM4040BIM3X-2.5 TI(德州儀器)
LMP7716MM TI(德州儀器)
LPC1756FBD80Y NXP(恩智浦)
LT1083CP LINEAR(凌特)
LTC6655BHMS8-2.048 LINEAR(凌特)
MC9S12XDT512MAL Freescale(飛思卡爾)
MCF51AC256AVLKE Freescale(飛思卡爾)
MMSZ4701T1G ON(安森美)
NCE40P05Y NCE Power(新潔能)
OCP2131WPAD OCS（Orient-Chip Semiconductor）
OPT3101RHFR TI(德州儀器)
PCA9450CHN NXP(恩智浦)
PIC32MX795F512HT-80I/PT Microchip(微芯)
PTS1206M1B1K00P100 Vishay(威世)
RTL8221B-VB-CG REALTEK(瑞昱)
S29GL512T10FHI010 SPANSION(飛索)
S29JL032J70TFI220 Cypress(賽普拉斯)
SI53304-B-GM SILICON LABS(芯科)
STM32F102CBT6 ST(意法)
STTH3R04U ST(意法)
TPS40041DRBR TI(德州儀器)
VO615A-9X017T Vishay(威世)
XC5VLX50-2FFG676C XILINX(賽靈思)
XC95288XL-10FGG256I XILINX(賽靈思)
5PB1110NDGI IDT(Renesas收購)
74AUP1G09GW Nexperia(安世)
ADAU1966WBSTZ ADI(亞德諾)
ADC101S021CIMF TI(德州儀器)
ADG758BCPZ ADI(亞德諾)
ADM3491ARU ADI(亞德諾)
AT84CS001VTP e2v technologies
BCM82790BKFSBG Broadcom(博通)
BCM847BS Philips(飛利浦)
CSD87501L TI(德州儀器)
CYP15G0101DXB-BBI Cypress(賽普拉斯)
DS1859B-050 Maxim(美信)
DS90UB948TNKDTQ1 TI(德州儀器)
ETRX357-LRS SILICON LABS(芯科)
FAN7382M1X Freescale(飛思卡爾)
FCP190N65S3 ON(安森美)
FDB8444TS Fairchild(飛兆/仙童)
FM25V01A-G Cypress(賽普拉斯)
IRF9540NS IR(國際整流器)
IRS2109STRPBF IR(國際整流器)
IS42S16160G-7BLI ISSI(美國芯成)
ISO7141FCCDBQ TI(德州儀器)
LM2679SX-ADJ NS(國半)
LSF0101DRYR TI(德州儀器)
LT1054CS8 ADI(亞德諾)
LT1185CQ LINEAR(凌特)
LT1719IS8 LINEAR(凌特)
MC74AC02DR2G ON(安森美)
MP6922DSE-LF-Z MPS(美國芯源)
NVMFS4C05NT1G ON(安森美)
OPA2325IDR TI(德州儀器)
OPA365AIDBV TI(德州儀器)
S-35390A-J8T1G SEIKO(精工)
SC414MLTRT Semtech(商升特)
SI53156-A01AGMR Skyworks(思佳訊)
SN74ALS245ADW TI(德州儀器)
TPS65270PWPR TI(德州儀器)
TPS70445PWP TI(德州儀器)
VN5T006ASP-E ST(意法)
XC7S50-1FTGB196C XILINX(賽靈思)
XCZU4CG-2FBVB900I XILINX(賽靈思)
10M04SAM153I7G ALTERA(阿爾特拉)
5SDF0131Z0401 ABB
74HC245 TI(德州儀器)
ADA4077-2ARMZ ADI(亞德諾)
ADG1212YRUZ ADI(亞德諾)
AL8805W5-7 Diodes(美臺)
BGA824N6 Infineon(英飛凌)
BSC0901NSI Infineon(英飛凌)
CPC1020N IXYS(艾賽斯)
DS90LV012ATMF NS(國半)
DSI2X55-12A IXYS(艾賽斯)
EP4SGX530HH35C2N ALTERA(阿爾特拉)
EPF6024ATC144-3 ALTERA(阿爾特拉)
FH82C246
FX604P3 CML Innovative Technologies（CML-IT）
IMX678-AAQR1-C SONY(索尼)
ISL68127IRAZ Intersil(英特矽爾)
LC4128V-75TN100I Lattice(萊迪斯)
LCMXO3LF-1300C-5BG256I Lattice(萊迪斯)
LM2574HVM-5.0 NS(國半)
LM3406HVMHX NS(國半)
LM833MX NS(國半)
LT1785CS8 LINEAR(凌特)
MAX14588ETE+T Maxim(美信)
MBRD1035CTLG ON(安森美)
MCP4812-E/SN Microchip(微芯)
MIC4451ZT Micrel(麥瑞)
MN864739 Panasonic(松下)
MPC8548VJAVHD NXP(恩智浦)
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F micron(鎂光)
MT48LC8M32B2TG-7IT micron(鎂光)
MURS320T3 ON(安森美)
NCP3163BPWR2G ON(安森美)
NCV887701D1R2G ON(安森美)
NT6AN512T32AV-J2 Nanya Technology
PEF22554HTV31 Infineon(英飛凌)
PIC16F877A-I/L MIC(昌福)
PSMN1R8-40YLC Nexperia(安世)