91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 企業新聞

TLE8108EMXUMA1 繼電器驅動芯片

發布時間:2024/11/25 14:26:00 訪問次數:13 發布企業:深圳市展鵬富裕科技有限公司

TLE8108EMXUMA1的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid TLE8108EMXUMA1
是否無鉛 不含鉛不含鉛
是否Rohs認證 符合符合
生命周期 Active
Objectid 1299750611
零件包裝代碼 SSOP
包裝說明 GREEN, PLASTIC, SSOP-24
針數 24
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
Factory Lead Time 18 weeks 4 days
風險等級 2.21
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-09-13 11:17:25
YTEOL 7.05
內置保護 TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL
接口集成電路類型 BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代碼 R-PDSO-G24
JESD-609代碼 e3
長度 8.65 mm
濕度敏感等級 3
功能數量 1
端子數量 24
輸出電流流向 SOURCE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 HLSSOP
封裝等效代碼 SSOP24,.24
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
認證狀態 Not Qualified
座面最大高度 1.7 mm
最大供電電壓 5.5 V
最小供電電壓 4.5 V
標稱供電電壓 5 V
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子節距 0.65 mm
端子位置 DUAL
斷開時間 50 µs
接通時間 50 µs
寬度 3.9 mm


TLE8108EMXUMA1 繼電器驅動芯片的技術分析與應用

在現代電子系統中,繼電器驅動芯片是不可或缺的組成部分,尤其在需要高電流控制的領域。TLE8108EMXUMA1 是一款廣泛應用的繼電器驅動芯片,該芯片在多種應用場合中表現出色。對于設計工程師而言,了解其操作原理、關鍵特性及具體應用至關重要。

1. TLE8108EMXUMA1 的基本特性

TLE8108EMXUMA1 繼電器驅動芯片的主要功能是通過邏輯信號控制繼電器的開關操作。這款芯片的工作電壓范圍為4.5V至36V,具有良好的電源適配性,在寬廣的電壓范圍內均可穩定工作。其內部集成了功率 MOSFET 驅動電路,能夠支持高達1.5A 的輸出電流,適用于許多高功率應用場合。此外,芯片還集成了多種保護功能,包括短路保護、過熱保護和過電壓保護等,這些功能設計的初衷是為了提高系統的可靠性。

2. 商品與硬件接口

TLE8108EMXUMA1 通常以小型表面貼裝封裝形式提供,適應現代電子設備對空間和重量的嚴格要求。其引腳配置合理,用戶可以輕松連接各種外部元器件。芯片的輸入端連接至控制邏輯電路,輸出則連接至所需的繼電器。這種設計帶來了更高的靈活性,使其能夠方便地應用于不同類型的系統中。

3. 芯片的工作原理

TLE8108EMXUMA1 采用基于 MOSFET 的輸出結構,通過控制輸入端的電壓信號來激活 MOSFET,從而驅動繼電器的線圈。在正常工作條件下,輸入端高電平信號(如5V)驅動內部的 MOSFET 開關,形成低阻抗通路,使電流流過繼電器線圈,完成開關操作。當輸入信號降低時,MOSFET 切斷電流流通,繼電器則恢復到斷開狀態。

該芯片的特性使其能夠以非常低的功耗進行快速響應,一般在毫秒級別內便可完成切換任務。對于需要快速頻繁切換的應用,如電子開關和自動化控制,TLE8108EMXUMA1 提供了理想的解決方案。

4. 應用領域

TLE8108EMXUMA1 繼電器驅動芯片可廣泛應用于多種行業。首先是在汽車電子領域,芯片可以用于控制汽車的各類繼電器,如電窗、外后視鏡等,能夠有效提升汽車的電氣系統性能。其次,TLE8108EMXUMA1 也適合用于家電產品中,如洗衣機、電飯煲等,這些設備需要通過繼電器控制大功率電流以實現各類功能。

在工業自動化方面,TLE8108EMXUMA1 同樣具有重要應用。對工業設備進行遠程控制時,遵循高安全性及高可靠性的要求,TLE8108EMXUMA1 提供了必要的電流驅動能力和多種保護措施,大幅提升了控制系統的安全性和穩定性。

5. 材料和制造工藝

制造 TLE8108EMXUMA1 的材料和工藝直接影響其性能和可靠性。該芯片通常采用 CMOS 工藝制造,這種工藝具有優良的低功耗和高集成度。MOSFET 的材料多選用高導電性的硅材料,同時結合現代先進的工藝,確保芯片能夠在高頻率和高電流條件下正常工作。集成的保護電路使用了高可靠性的過壓和過流保護元件,這些元件的選擇和設計是確保產品長期穩定運行的關鍵。

6. 性能優化與設計考慮

在設計中使用 TLE8108EMXUMA1 繼電器驅動芯片時,需要考慮多種因素以優化其性能。例如,驅動電流的大小需要根據繼電器的特性進行合理設定,以避免因過高或過低的驅動電流導致繼電器失效。設計時應考慮系統的熱設計,確保芯片在實際應用中不會因過熱而影響其性能。

對于信號的干擾問題,適當的電路布局和噪聲濾波設計將有助于減少潛在的電磁干擾,保證控制信號的穩定性和可靠性。電源設計同樣重要,提供穩定的電源電壓和電流可以有效提升芯片的工作穩定性。

7. 市場趨勢與前景

隨著電子技術的不斷發展,市場對繼電器驅動芯片的需求也在不斷增長,TLE8108EMXUMA1 作為行業中的佼佼者,具備可靠性強、適用范圍廣等優點,必將在未來的應用中繼續發揮重要作用。自動化、智能化的驅動需求推動了相應技術的進步,結合物聯網技術的發展,TLE8108EMXUMA1 也有望被更廣泛地應用于智能家居、智能電網等領域。

在未來的技術創新中,繼電器驅動芯片的集成度、功耗和智能化仍將是重點研究方向。為了滿足市場需求,制造商們需要不斷在材料、工藝、設計等方面進行技術迭代,以提升產品的性能和可靠性。TLE8108EMXUMA1 的成功應用為業界提供了寶貴的經驗,也為后續的技術發展提供了方向。



TLE8108EMXUMA1 Infineon(英飛凌)
XC7S25-1FTGB196C XILINX(賽靈思)
AGQ200A4H Panasonic(松下)
ANX7447QN-AC-R Analogix
AP62300WU-7 Diodes(美臺)
ATSAMD21E16C-UUT Microchip(微芯)
BC850C Infineon(英飛凌)
BCP56-16TX NXP(恩智浦)
BUK7J1R0-40HX NXP(恩智浦)
GD32F305RBT6 GD(兆易創新)
IPG20N10S4L-22 Infineon(英飛凌)
IRLR8726TRLPBF IR(國際整流器)
LDK320AM50R ST(意法)
LM224APT ST(意法)
LM2676SDX-ADJ/NOPB TI(德州儀器)
LNK305DG-TL Raspberry Pi
LP38798SDE-ADJ TI(德州儀器)
LPC2220FBD144 Philips(飛利浦)
LTC6803IG-3#TRPBF LINEAR(凌特)
MC14050BDR2G ON(安森美)
MCP100T-270I/TT MIC(昌福)
MP8904DD-LF-Z MPS(美國芯源)
MPC8309CVMAHFCA NXP(恩智浦)
OPA145IDR TI(德州儀器)
RSM3485ECHT ZLG(廣州致遠/周立功)
STCS2ASPR ST(意法)
STM32L442KCU6 ST(意法)
TPSE477K010R0100 AVX(京瓷)
TSZ122IDT ST(意法)
ZXLD1350ET5TA Zetex Semiconductors
89HPES5T5ZBBCGI Renesas(瑞薩)
9-215083-0 TE(泰科)
AD5272BRMZ-20 ADI(亞德諾)
AD7631BSTZ ADI(亞德諾)
ADC32RF80IRMPR TI(德州儀器)
ADS1252U TI(德州儀器)
BLM18AG221SN1D MURATA(村田)
BTF6070-2EKV Infineon(英飛凌)
CB3LV-3I-50M0000 CTS (西迪斯)
FOD2712A Fairchild(飛兆/仙童)
FOD3150 ON(安森美)
GT20L16S1Y GT(固態電子)
INA131BP TI(德州儀器)
K9F5608U0D-PIB0 SAMSUNG(三星)
LCMXO2-640HC-4MG132I Lattice(萊迪斯)
MAX232EWE Maxim(美信)
MC9S08GT8ACFBE NXP(恩智浦)
MCIMX281AVM4B Freescale(飛思卡爾)
MSS2P3-M3/89A Vishay(威世)
MUX506IPWR TI(德州儀器)
OPA657UB TI(德州儀器)
PEX8619-BA50BCG PLX
PIC18F25K40-I/SO Microchip(微芯)
SAK-TC265D-40F200WBB Infineon(英飛凌)
STM32F215VGT6 ST(意法)
STM32G474VET3 ST(意法)
SZNUP1128HT1G ON(安森美)
T2N7002AK TOSHIBA(東芝)
TLJB227M006R0500 AVX(京瓷)
AD5751ACPZ ADI(亞德諾)
AD9216BCPZ-105 ADI(亞德諾)
ADUM1441ARQZ ADI(亞德諾)
ADUM262N0BRIZ ADI(亞德諾)
BCM53101EKMLG Broadcom(博通)
DM9161CEP DAVICOM(聯杰國際)
GM7123C
HT16C21 HOLTEK(合泰)
LM2902YPT ST(意法)
LTV-816S-TA1-D LITEON(臺灣光寶)
NCP5369MNR2G ON(安森美)
STI3508 TMI(拓爾微)
STM32F042G4U6 ST(意法)
TLC7226CDWR TI(德州儀器)
TLV2434AQPWRQ1 TI(德州儀器)
TM1618 TM(天微)
TPS767D318PWP TI(德州儀器)
UJA1131HW/5V0 NXP(恩智浦)
VIPER37LE ST(意法)
VSC8221XHH Vitesse Semiconductor Corporation
X5045PIZ Intersil(英特矽爾)
XCR3128XL-10VQ100C XILINX(賽靈思)
AD7147ACPZ ADI(亞德諾)
AD7801BRUZ ADI(亞德諾)
CD4543BE Harris Semiconductor
CY2304NZZXC-1T Cypress(賽普拉斯)
DS1305EN Dallas (達拉斯)
DS90UB924TRHSRQ1 TI(德州儀器)
EUP3484DIR1 EUTECH
GS2978-CNE3 Gennum Corporation
IM69D130V01XTSA1 Infineon(英飛凌)
IS25LP128-JKLE ISSI(美國芯成)
MC100EPT23DR2G ON(安森美)
MIMX8ML4CVNKZAB NXP(恩智浦)
MIMXRT1175CVM8A NXP(恩智浦)
MT25QL512ABB8E12-0AAT micron(鎂光)
PCA8574APW NXP(恩智浦)
PCF8563TS/4 NXP(恩智浦)
RTC7608U Richwave
SN74AXC2T245RSWR TI(德州儀器)
STB9NK60ZT4 ST(意法)
STM32H7B0RBT6 ST(意法)
TC74LVXC3245FS TOSHIBA(東芝)
TLE42962GV33HTSA1 Infineon(英飛凌)
TPS2066DR TI(德州儀器)
TPS6735IDR TI(德州儀器)
AIKW50N60CT Infineon(英飛凌)
BP1048B2
BQ25611DRTWR TI(德州儀器)
CD4555BPWR TI(德州儀器)

相關新聞

相關型號



 復制成功!
全南县| 七台河市| 青阳县| 寿阳县| 凤山县| 余庆县| 海淀区| 和硕县| 尼玛县| 鲁山县| 遂昌县| 太白县| 新化县| 顺平县| 盈江县| 绥滨县| 巫山县| 怀安县| 衡东县| 米林县| 贡山| 桦甸市| 济源市| 伽师县| 南皮县| 湖口县| 南平市| 安吉县| 太湖县| 靖州| 江阴市| 南通市| 东辽县| 溧阳市| 和平区| 麻阳| 慈利县| 正镶白旗| 揭阳市| 镇赉县| 松江区|