NTJD4105CT2G的詳細參數
參數名稱
參數值
Source Content uid
NTJD4105CT2G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
1998480710
零件包裝代碼
SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD
包裝說明
SC-70, SC-88, 6 PIN
針數
6
制造商包裝代碼
419B-02
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
風險等級
1.36
Samacsys Description
Complementary Small Signal MOSFET
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.9
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源擊穿電壓
20 V
最大漏極電流 (ID)
0.63 A
最大漏源導通電阻
0.375 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss)
5 pF
JESD-30 代碼
R-PDSO-G6
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數量
2
端子數量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.55 W
認證狀態
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
40
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
、
場效應管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種重要的半導體器件，在現代電子電路中廣泛應用。NTJD4105CT2G是一種N溝道增強型場效應管，其性能和特性使其在許多應用中具備不可替代的地位。
NTJD4105CT2G的結構和工作原理可以說是其最基礎的特性之一。該器件的主要部件包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。在未加電壓時，源極和漏極之間的通道處于關閉狀態。當在柵極施加正電壓時，會在半導體中形成一個加強型的導電通道，使電流能夠在源極和漏極之間流動。通過控制柵極的電壓，能夠精確調節流過漏極的電流，從而實現對功率的控制。這一特性使得NTJD4105CT2G在開關電源、電機驅動器以及其他功率控制應用中得到了廣泛的應用。
在材料方面，NTJD4105CT2G采用了高質量的硅基材料，以提高器件的性能和穩定性。硅材料的帶隙大約為1.1電子伏特，使其在常溫下具有良好的導電性能和熱穩定性。此外，NTJD4105CT2G的N溝道設計使其在導通狀態下具有較低的導通電阻（R_DS(on)），這對于減小功耗、提升效率至關重要。其導通電阻通常在幾毫歐姆范圍內，這對于大電流應用非常重要。
NTJD4105CT2G的參數特性也是其在實際應用中的另一大優勢。首先，該器件的最大漏極至源極電壓（V_DS）可以達到55伏特，適合用于中壓電路中。其次，其最大連續漏極電流（I_D）可達到30安培，能夠支持較大的負載，同時在高負載下保持較低的發熱量。此外，NTJD4105CT2G的柵極-源極閾值電壓（V_GS(th)）通常在1至2.5伏特范圍內，這使得該器件易于與其他邏輯電平器件配合使用。
在開關特性方面，NTJD4105CT2G的開關速度非常快，這使得它在高頻開關電源和脈沖驅動應用中表現出色。器件的開關損耗較低，能夠有效減少能量損失，從而提升系統的整體效率。這一特性在需要頻繁開關動作的電路中尤為重要，比如DC-DC轉換器、LED驅動電路等。NTJD4105CT2G的極短的開關時間和關斷時間，使得它能夠適應高速信號處理的需求。
在熱管理方面，NTJD4105CT2G的散熱性能設計也是相當出色的。該器件的封裝設計充分考慮了散熱的需求，通過大面積的接地平面和有效的散熱設計，使得器件在高負載下也能夠保持較低的工作溫度。這一特性是在功率應用中不可或缺的，因為過高的溫度會直接影響器件的可靠性和壽命。
NTJD4105CT2G的應用領域非常廣泛，涵蓋了多個行業。它在電源管理、消費電子、工業及汽車電子等領域的應用越來越普及。在開關電源中，NTJD4105CT2G廣泛用于電壓轉換和電流調節，能夠提高電源的轉換效率。在電機驅動領域，它用于控制直流電機和步進電機的驅動，幫助提高運動控制的精度和效率。此外，在汽車電子中，該器件可用于動力系統、車燈控制和電源管理等各種場景。
在未來技術發展趨勢中，NTJD4105CT2G也將面臨更高的挑戰和機遇。隨著追求更高能效和更小體積的設計趨勢，場效應管的性能需求會越來越高。復合半導體材料以及新型器件的出現將推動場效應管技術的進步，可能使NTJD4105CT2G面臨更激烈的競爭。同時，隨著5G和物聯網的普及，對高頻、高效率的電源管理器件需求將持續增長，這為場效應管提供了新的應用機遇。
綜上所述，NTJD4105CT2G作為一種高性能N溝道增強型場效應管，其獨特的結構、材料特性以及優良的電氣性能，使其成為現代電子電路中不可或缺的重要元素，廣泛應用于眾多領域并在未來的發展中充滿潛力。在面對潛在應用和技術挑戰的同時，NTJD4105CT2G仍然將以其出色的性能，繼續在市場中占據一席之地。
NTJD4105CT1G
ON(安森美)
SN74LV138APWR
TI(德州儀器)
STP12NM50
ST(意法)
TEA1791T/N1
NXP(恩智浦)
TUSB320IRWBR
TI(德州儀器)
XCF08PVO48C
XILINX(賽靈思)
ADUM3400BRWZ
ADI(亞德諾)
GAL22V10D-15LPN
Lattice(萊迪斯)
ITS4880RCUMA1
Infineon(英飛凌)
NC7WZ17P6X-L22347
ON(安森美)
SN75161BDWR
TI(德州儀器)
TAJB226K020RNJ
AVX(京瓷)
CDCM9102RHBR
TI(德州儀器)
DESD3V3S1BL-7B
Diodes(美臺)
DRV5023AJQDBZR
TI(德州儀器)
HMC1040LP3CETR
Hittite Microwave
IPT059N15N3
Infineon(英飛凌)
ISO7710QDRQ1
TI(德州儀器)
MBRB40250TT4G
ON(安森美)
NCS20071SN2T1G
ON(安森美)
PT7M7809STEX
Diodes(美臺)
STTH4R02U
ST(意法)
ADP2303ARDZ-5.0-R7
ADI(亞德諾)
BCR421UW6Q-7
Diodes(美臺)
GD32F427ZGT6
GD(兆易創新)
IR3847MTRPBF
IR(國際整流器)
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice(萊迪斯)
LFCN-6700+
Mini-Circuits
MKW38A512VFT4
NXP(恩智浦)
NCV8403BDTRKG
ON(安森美)
OPT3002DNPR
TI(德州儀器)
THS4531IDR
TI(德州儀器)
TIP36C
ST(意法)
TPS92512HVDGQT
TI(德州儀器)
XC7A50T-1FGG484C
XILINX(賽靈思)
XC7S50-1FGGA484C
XILINX(賽靈思)
XC95288XL-10TQ144I
XILINX(賽靈思)
AMP03GSZ
ADI(亞德諾)
DAC124S085CIMM/NOPB
TI(德州儀器)
GRM188R61A106KE69D
MURATA(村田)
IRFS3206TRRPBF
Infineon(英飛凌)
LM2611BMFX/NOPB
TI(德州儀器)
MC9S08QG8CDTER
Freescale(飛思卡爾)
SI7172DP-T1-GE3
Vishay(威世)
SI8920BC-IPR
SILICON LABS(芯科)
TIP102
ON(安森美)
ADV7441ABSTZ-5P
ADI(亞德諾)
AS431ANTR-G1
Diodes(美臺)
BAS16H
Nexperia(安世)
BGA231N7E6327
Infineon(英飛凌)
BTS724GXUMA1
Infineon(英飛凌)
FDC658P
Fairchild(飛兆/仙童)
PS8625QFN56GTR-A0
parade(譜瑞科技)
S29GL128P11TFIV10
SPANSION(飛索)
SBB2089Z
Qorvo(威訊聯合)
10CL016YF484I7G
INTEL(英特爾)
A3PE1500-FG484I
Microchip(微芯)
AT89C51CC01CAT-RLTUM
Microchip(微芯)
ENC624J600T-I/PT
Microchip(微芯)
GRM32DR71E106KA12L
MURATA(村田)
LP5912-3.3DRVT
TI(德州儀器)
LPC54608J512BD208
NXP(恩智浦)
M25P16-VMN3TPB
ST(意法)
NCV2951ACDR2G
ON(安森美)
NTR0202PLT1G
ON(安森美)
PCA9534DWR
TI(德州儀器)
SN74HC574N
TI(德州儀器)
TC33X-2-103E
Bourns(伯恩斯)
TFDU4101E-TT3
Vishay(威世)
TPS54340QDDARQ1
TI(德州儀器)
TPS73625DBVR
TI(德州儀器)
XC6SLX100-3FGG676I
XILINX(賽靈思)
AP331AWG-7
Diodes(美臺)
ATECC508A-MAHDA-T
Atmel(愛特梅爾)
BCV27
Nexperia(安世)
C8051F580-IQR
SILICON LABS(芯科)
CD4071BE
TI(德州儀器)
CSD87331Q3D
TI(德州儀器)
GD32F130F4P6TR
GD(兆易創新)
LT3494EDDB#TRMPBF
LINEAR(凌特)
MOCD213M
Fairchild(飛兆/仙童)
MX30LF1G08AA-TI
MXIC(旺宏)
NSS60600MZ4T1G
ON(安森美)
PLT10HH1026R0PNL
MURATA(村田)
PTN78000WAS
TI(德州儀器)
SGM3005XMS/TR
SGMICRO(圣邦微)
TC4428EOA
Microchip(微芯)
TLV1117-33IKVURG3
TI(德州儀器)
TPS3710DSER
TI(德州儀器)
TPS61097A-33DBVR
TI(德州儀器)
XCZU5EV-1SFVC784I
XILINX(賽靈思)
293D107X9010C2TE3
Vishay(威世)
AT25128B-SSHL-B
Microchip(微芯)
ATSAMD20E18A-MU
Atmel(愛特梅爾)
IC-HD7
LMX2470SLEX
NS(國半)
OPA690IDR
TI(德州儀器)
SN74ALVC244PWR
TI(德州儀器)
STM32G071CBU6TR
ST(意法)
TLV7011DCKR
TI(德州儀器)
293D227X9010D2TE3
Vishay(威世)
INA826AIDGK
TI(德州儀器)
L6225DTR
ST(意法)
LM2575S-ADJ
NS(國半)
MT48LC4M32B2B5-6AIT:L
micron(鎂光)
MXL608-AG-T
Maxlinear（邁凌）
NVD5C464NT4G
ON(安森美)
PI3USB302-AZBEX
Diodes(美臺)
PIC16F1503-E/ST
Microchip(微芯)
SGM8199A1XC6G/TR
SGMICRO(圣邦微)
TCM2-33X+
Mini-Circuits
THGBMHG8C2LBAIL
TOSHIBA(東芝)
UCC37324DR
TI(德州儀器)
VUO86-12NO7
IXYS(艾賽斯)
XC7Z030-1SBG485I
XILINX(賽靈思)
10CX085YU484I6G
INTEL(英特爾)
2016L030DR
Littelfuse(力特)
32.768KHZ
SEIKO(精工)
3266W-1-104LF
Bourns(伯恩斯)
74LVC125ABQ
Nexperia(安世)
BA4580RF-E2
Rohm(羅姆)
BAS21DW5T1G
ON(安森美)
BDX53C
ST(意法)
CC2650F128RGZR
TI(德州儀器)
HM2103NLT
Pulse(YAGEO)
LM536015QDSXRQ1
TI(德州儀器)
LPS3015-222MRC
Coilcraft(線藝)
LSM6DS0TR
ST(意法)
MMSZ5228BT1G
ON(安森美)
NCP81269MNTXG
ON(安森美)
