BSC093N15NS5 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid BSC093N15NS5
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 8149290346
包裝說明 TDSON-8
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 7.6
Samacsys Description Infineon DIFFERENTIATED MOSFETS
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.2
雪崩能效等級（Eas） 130 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 150 V
最大漏極電流 (ID) 87 A
最大漏源導通電阻 0.0093 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 26 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 139 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 348 A
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

BSC093N15NS5 場效應管的特性與應用研究

引言

場效應管（Field-Effect Transistor，FET）是一種以電場效應為基礎控制電流的半導體器件。與雙極型晶體管（BJT）不同，FET的工作原理主要依賴于電場對輸運載流子的調節。BSC093N15NS5是一款特定品牌和型號的場效應管，廣泛應用于各種電子電路中，以其優異的性能和適應性受到工程師的青睞。

1. BSC093N15NS5 的結構與工作原理

BSC093N15NS5 是一款N溝道MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），其主要結構由源極、漏極、柵極以及絕緣層組成。源極是電流進入FET的端口，漏極是電流流出的端口，而柵極則用來控制源極與漏極之間的電流。其工作原理依賴于MOS結構中的硅氧化層，當在柵極加上適當的電壓時，硅表面下方的n型或p型半導體區域會形成電子或孔的積累層，從而實現對電流的控制。

在BSC093N15NS5中，N溝道特性意味著在柵極施加正電壓時，會在n型溝道中形成導電通道，從而實現導通狀態。當柵極電壓低于一定閾值時，MOSFET進入截止狀態，無法導電。這種通過電壓信號控制電流的特性使得MOSFET廣泛應用于開關和放大電路。

2. 技術參數分析

在分析BSC093N15NS5的技術參數時，有幾個關鍵的指標需要重點關注，包括閾值電壓、導通電阻、最大漏電流以及耐壓等。

2.1 閾值電壓

BSC093N15NS5的閾值電壓通常在1到4伏之間。當柵極電壓達到閾值電壓后，MOSFET便會從截止狀態轉變為導通狀態。閾值電壓的設計影響了器件的開關速度和功耗，因此在電路設計中選取適當的閾值電壓至關重要。

2.2 導通電阻

導通電阻是指在導通狀態下寄生效應導致的電阻值。對于BSC093N15NS5來說，導通電阻通常較低，能夠有效降低通電時的功耗。較低的導通電阻不僅對提高效率至關重要，也有助于提升電路的穩定性。

2.3 最大漏電流

BSC093N15NS5的最大漏電流是其能承受的電流上限。超出這一范圍可能導致器件損壞或性能下降。在應用過程中，需要合理地設計電路，以確保漏電流在安全范圍內運行。

2.4 耐壓

這是指場效應管能夠承受的最高電壓。BSC093N15NS5的較高耐壓特性使其能在各種負載條件下穩定工作。耐壓能力的增強使得該器件適用于高電壓的應用場景，如電源管理和電機驅動等。

3. 應用領域

隨著電子技術的不斷發展，BSC093N15NS5場效應管被廣泛應用于諸多領域。下面，我們將探討其在幾個主要應用領域的作用和特色。

3.1 電源管理

在電源管理中，BSC093N15NS5以其高效率、低功耗的特性，成為DC-DC轉換器、開關電源和電池管理電路的重要組成部分。MOSFET能夠在高頻率環境下穩定工作，為電源轉換提供可靠性。

3.2 電機驅動

BSC093N15NS5由于具有較高的耐壓和最大漏電流，適用于電機驅動電路。無論是直流電機還是步進電機，該器件都能夠準確控制電流和電壓，從而實現高效驅動與精確調速。

3.3 RF 設備

在射頻設備中，BSC093N15NS5廣泛應用于射頻開關和放大器的設計。其快速的開關特性和高頻響應，使得設備在頻率較高的應用中表現出色。例如，5G通信設備對器件的性能要求更高，而BSC093N15NS5能夠滿足這些苛刻的要求。

3.4 嵌入式系統

嵌入式系統的功能多樣，通常需要高效能的開關管理。BSC093N15NS5憑借其優良的熱穩定性和電氣特性，在為嵌入式設備提供高效能的電源管理和信號處理等方面發揮了重要作用。

4. 散熱與封裝

在高功率應用中，BSC093N15NS5的散熱問題尤為重要。器件在工作時會產生一定的熱量，散熱不良將影響其性能甚至損壞器件。因此，設計合理的散熱系統是電子電路設計中不可或缺的一部分。

BSC093N15NS5的封裝形式通常采用DPAK或TO-220封裝，這些封裝具有良好的散熱性能，能夠有效地將熱量傳導至外部散熱器。通過優化封裝設計，減少封裝內部的熱阻，可以提高器件的工作效率和可靠性。

5. 未來發展趨勢

隨著科技的不斷進步，BSC093N15NS5等場效應管將在性能上不斷優化。例如，改進的材料和工藝會使得導通電阻進一步降低，更高的集成度將可能推動應用的多樣化。此外，隨著電動汽車和可再生能源技術的發展，高效率的場效應管技術也將大有可為。

在安全性和環保要求日益增強的背景下，未來的場效應管設計將需要考慮到更低的功耗和更高的熱穩定性。基于新型材料的場效應管，將可能會成為電力電子領域中的一個重要研究方向。

BSC093N15NS5作為一種成熟的場效應管產品，其在市場中的持續應用與創新，將為電子科技的發展提供支持。

BSC093N15NS5 Infineon(英飛凌)
ADV7619KSVZ ADI(亞德諾)
XCZU19EG-2FFVC1760I XILINX(賽靈思)
LM2574M-5.0 NS(國半)
TLE9180D-31QK Infineon(英飛凌)
MKV31F256VLH12 NXP(恩智浦)
LM2937IMP-3.3 TI(德州儀器)
MAX3232ESE+ Maxim(美信)
STM32F031K6T6 ST(意法)
DP83849IVS TI(德州儀器)
S6J32LELSMSC20000 Infineon(英飛凌)
AD73360ARZ ADI(亞德諾)
MAX6675ISA+T Maxim(美信)
LMS3655NQRNLRQ1 TI(德州儀器)
TPS2121RUXR TI(德州儀器)
MMBTA42LT1G LRC(樂山無線電)
TPS54540DDAR TI(德州儀器)
OP2177ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
IRLML0060TRPBF Infineon(英飛凌)
DRV8833PWPR TI(德州儀器)
KSZ8081RNAIA-TR Micrel(麥瑞)
MBRS360BT3G ON(安森美)
WJLXT971ALE.A4 Inphi Corporation
MAX31855KASA+T Maxim(美信)
ATXMEGA32A4-AU Atmel(愛特梅爾)
SG3525ANG ON(安森美)
IRFP4768PBF IR(國際整流器)
SN74AHC1G125DBVR TI(德州儀器)
NRVB1H100SFT3G ON(安森美)
DRV8873SPWPRQ1 TI(德州儀器)
STM32F417ZGT6 ST(意法)
L78L12ABUTR ST(意法)
SN74LVC1G74DCUR TI(德州儀器)
LD1086DT33TR ST(意法)
MMPF0100NPAEP NXP(恩智浦)
TLP281GB TOSHIBA(東芝)
INA105KP Burr-Brown(TI)
M25P128-VMF6TPB micron(鎂光)
STM32H743AII6 ST(意法)
STTH112A ST(意法)
FNB41560 ON(安森美)
LM2675M-ADJ TI(德州儀器)
SN74HC138N TI(德州儀器)
RTL8201CP-VD-LF REALTEK(瑞昱)
SL811HST-AXC Cypress(賽普拉斯)
PAC1934T-I/JQ Microchip(微芯)
TUSB8040A1RKMR TI(德州儀器)
STK682-010-E ON(安森美)
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G micron(鎂光)
5M1270ZF256C5N INTEL(英特爾)
TLP181 TOSHIBA(東芝)
HFCN-440+ Mini-Circuits
EP4CGX50CF23I7N ALTERA(阿爾特拉)
KSZ8995XA SAMSUNG(三星)
IPP051N15N5 Infineon(英飛凌)
MTFC8GAMALBH-AAT micron(鎂光)
MLX90393ELW-ABA-011-RE Melexis(邁來芯)
TJA1020T/CM NXP(恩智浦)
FDB9503L-F085 Fairchild(飛兆/仙童)
BTT6200-4ESA Infineon(英飛凌)
HMC424LP3E Hittite Microwave
AO3400 AOS(萬代)
SI7020-A20-GMR SILICON LABS(芯科)
OPA544FKTTT Burr-Brown(TI)
SKY77643-61 Skyworks(思佳訊)
STM32L452RCT6 ST(意法)
BCM54610C1IMLG Broadcom(博通)
HCPL-2630-500E Avago(安華高)
MC9S08QG4CPAE Freescale(飛思卡爾)
ST10F269-T3 ST(意法)
AD7124-4BRUZ ADI(亞德諾)
MTFC16GAPALBH-AIT micron(鎂光)
STTH30RQ06G2Y-TR ST(意法)
SY6301DSC SILERGY(矽力杰)
LM5069MM-2 TI(德州儀器)
FT232HL FTDI(飛特帝亞)
DS34LV86TM TI(德州儀器)
ADBMS6830MWCCSZ
SSM2166S ADI(亞德諾)
KSZ8001LI Micrel(麥瑞)
OPA2188AIDGKR TI(德州儀器)
TLV2370IDBVR TI(德州儀器)
STM32H753XIH6 ST(意法)
TPS7A7300RGWR TI(德州儀器)
TLP291-4GB TOSHIBA(東芝)
OPA842IDR TI(德州儀器)
MPX4250DP NXP(恩智浦)
CY62167EV30LL-45ZXI Cypress(賽普拉斯)
PCF2129AT/2 NXP(恩智浦)
HCNR200-500E Avago(安華高)
AT24CM01-SHD-T Atmel(愛特梅爾)
CC1312R1F3RGZR TI(德州儀器)
XC9536XL-10VQG44I XILINX(賽靈思)
CSD18532Q5B TI(德州儀器)
IRF530NPBF Infineon(英飛凌)
STM32F407ZGT7 ST(意法)
LM61460AASQRJRRQ1 TI(德州儀器)
EP1C6Q240C8N ALTERA(阿爾特拉)
TCA6416APWR TI(德州儀器)
L298P ST(意法)
STM32L151C8T6 ST(意法)
AOD4185 AOS(萬代)
UC2903DW Burr-Brown(TI)
C8051F020-GQR SILICON LABS(芯科)
SI5351A-B-GTR SILICON LABS(芯科)
TS321ILT TI(德州儀器)
74HC32D Philips(飛利浦)
ST1S40IDR ST(意法)
XC6SLX25T-2FGG484C XILINX(賽靈思)
LPC4337JBD144 NXP(恩智浦)
PCA9617ADPJ NXP(恩智浦)
STM32F103C8T7 ST(意法)
STM32F072R8T6 ST(意法)
MC79M15CDTRKG ON(安森美)
FS32K148UJT0VLQT Freescale(飛思卡爾)
XP1001000-05R
MCP6004T-I/ST Microchip(微芯)
STM32F405VGT7 ST(意法)
NCP5106BDR2G ON(安森美)
BQ24075RGTR TI(德州儀器)
UCD3138A64QPFCRQ1 TI(德州儀器)
AD7683BRMZ ADI(亞德諾)
TPS48111LQDGXRQ1 TI(德州儀器)
MUR1620CTRG ON(安森美)
STM32F101RCT6 ST(意法)
DRV8800PWPR TI(德州儀器)
LM22676MRX-ADJ TI(德州儀器)
AD603ARZ ADI(亞德諾)
SC18IS602BIPW NXP(恩智浦)
5CGXFC4C6F23C6N ALTERA(阿爾特拉)
LT3045EMSE ADI(亞德諾)
ADUM2250ARWZ ADI(亞德諾)
TL431CLP TI(德州儀器)
BFN-T10-032D-018-B0
STM32F427VIT7 ST(意法)
LM317EMP TI(德州儀器)
XCZU49DR-L2FFVF1760I XILINX(賽靈思)
MAX811TEUS Maxim(美信)
ADP5054ACPZ ADI(亞德諾)
TPS61175PWPR TI(德州儀器)
CDCLVC1104PWR TI(德州儀器)
ADUM1200ARZ-RL7 ADI(亞德諾)
TCA9406DCUR TI(德州儀器)
TPS61169DCKR TI(德州儀器)
TPS562208DDCR TI(德州儀器)
RB521S30T1G ON(安森美)
TCA8418RTWR TI(德州儀器)
1SMA5931BT3G ON(安森美)
M48T35Y-70MH1F ST(意法)
S6J336CHTBSC20000 Cypress(賽普拉斯)
SN74HC245PWR TI(德州儀器)
5CSEBA4U23I7N ALTERA(阿爾特拉)
TL432AIDBZR TI(德州儀器)
L6201013TR ST(意法)
UCC28C44DR TI(德州儀器)
ATSAMA5D36A-CU Microchip(微芯)
LD1117AS33TR ST(意法)
TXB0108RGYR TI(德州儀器)
IPZ40N04S5L-7R4 Infineon(英飛凌)
IRFP4568PBF Vishay(威世)
MSP430F413IPMR TI(德州儀器)
LMX2571NJKR TI(德州儀器)
FDS6982AS Freescale(飛思卡爾)
SN74AHC1G00DBVR TI(德州儀器)
SC16IS740IPW NXP(恩智浦)
TJA1052IT/5Y NXP(恩智浦)
AR8035-AL1B Qualcomm(高通)
LPC1756FBD80 NXP(恩智浦)
10M02SCM153C8G INTEL(英特爾)
VNQ5050AKTR-E ST(意法)
CC2500RGPR TI(德州儀器)
S912ZVMC25F1MKK NXP(恩智浦)
TD62083AFG TOSHIBA(東芝)
MKE02Z64VLD4 Freescale(飛思卡爾)