TPA3116D2DADR 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid TPA3116D2DADR
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1170475768
包裝說明 HTSSOP-32
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia, Taiwan
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.33.00.01
風險等級 1.4
Samacsys Description 50-W Stereo (BTL) Class-D Audio Amp w/ SpeakerGuard™
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 15
標稱帶寬 22 kHz
商用集成電路類型 CLASS D AUDIO AMPLIFIER
增益 36 dB
JESD-30 代碼 R-PDSO-G32
JESD-609代碼 e4
長度 11 mm
濕度敏感等級 3
標稱噪聲指數 102 dB
信道數量 2
功能數量 1
端子數量 32
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
標稱輸出功率 50 W
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 HTSSOP
封裝等效代碼 TSSOP32,.3
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流溫度（攝氏度） 260
認證狀態 Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm
最大壓擺率 50 mA
最大供電電壓 (Vsup) 26 V
最小供電電壓 (Vsup) 4.5 V
表面貼裝 YES
溫度等級 INDUSTRIAL
端子面層 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子節距 0.65 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
寬度 6.1 mm

TPA3116D2DADR音頻功率放大器的設計與應用

引言

在現代音響設備中，音頻功率放大器扮演著至關重要的角色。它不僅能夠提高音頻信號的功率，還能保持聲學質量，確保良好的聽覺體驗。TPA3116D2DADR是德州儀器（Texas Instruments）推出的一款高效音頻功率放大器，其在高保真音樂設備中的應用日益廣泛。本文將圍繞TPA3116D2DADR的基本原理、技術規格、工作特性、設計考量以及應用實例進行深入探討。

TPA3116D2DADR的基本原理

TPA3116D2DADR是一種數字音頻功率放大器，采用了高效的類D放大技術。這種類型的放大器通過脈寬調制（PWM）技術，將輸入的模擬音頻信號轉化為相應的數字信號，并通過開關元件控制放大器輸出的功率。這種轉換不僅提高了功率效率，也有效降低了發熱量。這使得TPA3116D2DADR在小型音頻設備中尤為受歡迎。

功率放大器的工作原理可以簡述為：輸入的音頻信號經過轉換后，通過功率開關快速切換，形成一個脈沖信號。此信號最終在輸出級進行濾波，恢復為較高質量的模擬音頻信號。這一過程通過反饋環路實時調整PWM信號，以實現較好的線性度和較低的失真。

技術規格

TPA3116D2DADR的幾個關鍵技術指標使其在市場上占有一席之地。其工作電壓范圍為4.5V到26V，能夠適應多種供電情況。此外，它的單聲道輸出功率可達到50W，雙聲道則可實現高達100W的輸出，足以滿足普通家庭音響或小型影院的需求。其有效的能量轉換使得TPA3116D2DADR的效率可達90%以上，這在應用于便攜設備時尤為重要。

諸如失真度、信噪比等參數同樣重要。TPA3116D2DADR的總諧波失真（THD）在1kHz時低至0.1%，而信噪比（SNR）可達到100dB，保證了高保真的音頻輸出。這些性能使得它能夠在高要求的音頻環境中運營，帶來更為優質的聽覺體驗。

工作特性

TPA3116D2DADR的工作特性與其內部構造密切相關。其設計采用了模塊化的結構，內置防短路、過流、過熱等保護功能，能夠在不同工作環境下自我保護。考慮到實際應用中的需求，該放大器的靜態功耗非常低，省電特性顯著，適合用作緊湊型、高端音頻系統。

為了實現更為精確的音頻調節，TPA3116D2DADR還支持多路輸入和單聲道到立體聲的轉換。這使得用戶在實際應用中可以靈活配置不同的音頻輸出，不論是家庭影院、舞臺演出還是車載音響均能輕松適應。

設計考量

在設計以TPA3116D2DADR為核心的音頻放大器時，需要考慮多個因素。首先是電源管理，選擇合適的電源模塊對放大器性能至關重要。電源電壓不穩定將直接影響音頻輸出質量，因此高性能的電源管理電路是必要的。此外，PCB布線設計也十分重要，合理的布局有助于降低電磁干擾（EMI）和串擾現象，確保，每個組件在工作時的穩定性。

再者，音頻信號路徑的設計要盡量簡潔，減少不必要的接點和連線，以降低信號的衰減和噪聲。元器件的選擇同樣不能忽視，優質的組件能夠提升整體音頻系統的表現。

應用實例

TPA3116D2DADR廣泛應用于各類音頻設備中，例如便攜式藍牙音箱、家庭音響系統、汽車音響等。在便攜式藍牙音箱中，TPA3116D2DADR以其高效的功率輸出和低靜態功耗，為用戶提供了良好的續航表現。在家庭音響系統中，借助TPA3116D2DADR的高保真度和強大的功率輸出，用戶能夠體驗到生動的音樂效果。

此外，該功放在DIY音響愛好者中也頗受歡迎，許多人選擇基于TPA3116D2DADR設計自己的音響系統，可以根據個人的音質需求和環境條件進行調節，提升了整體音頻體驗。

總體來看，TPA3116D2DADR音頻功率放大器的設計理念和應用涵蓋了多種音頻播放場景，這也使得它成為了一款非常受歡迎的產品。通過深入研究其原理、性能及應用實例，能夠更好地理解數字音頻技術的發展方向及其在未來音頻設備中的重要性。

TPA3116D2DADR TI(德州儀器)
BAV99 Diodes(美臺)
5CEFA9F23I7N ALTERA(阿爾特拉)
74HC14D XINBOLE(芯伯樂)
STM8S005K6T6C ST(意法)
STM32G070RBT6 ST(意法)
STM32F429ZIT6 ST(意法)
NCP1654BD133R2G ON(安森美)
MK60FN1M0VLQ12 Freescale(飛思卡爾)
MAX485ESA Maxim(美信)
MURS120T3G ON(安森美)
MAX13487EESA+T Maxim(美信)
LM3481MM/NOPB TI(德州儀器)
STM32F401RCT6 ST(意法)
TPS2HB16BQPWPRQ1 TI(德州儀器)
LTM4644IY LINEAR(凌特)
EPCS4SI8N XILINX(賽靈思)
CP2102-GMR SILICON LABS(芯科)
TL431AIDBZR NXP(恩智浦)
TPS5450DDAR TI(德州儀器)
MT41K256M16TW-107:P micron(鎂光)
MBRS3200T3G ON(安森美)
STM32F105RBT6 ST(意法)
STM32F105VCT6 ST(意法)
MC7805BDTRKG ON(安森美)
S9KEAZ128AMLH NXP(恩智浦)
ATMEGA128-16AU Atmel(愛特梅爾)
MC78M05CDTRKG ON(安森美)
AD8479ARZ ADI(亞德諾)
THS4521IDGKR TI(德州儀器)
TXS0102DCUR TI(德州儀器)
STM32F103R8T6 ST(意法)
LTM4644IY#PBF ADI(亞德諾)
BTS724G Infineon(英飛凌)
MC33079DR2G ON(安森美)
BTS6143D Infineon(英飛凌)
ATMEGA328PB-AU Microchip(微芯)
AD620ARZ ADI(亞德諾)
GD32F103VCT6 GD(兆易創新)
TMS320F2812PGFA TI(德州儀器)
TPS63020DSJR TI(德州儀器)
NTF2955T1G ON(安森美)
IRF4905PBF Vishay(威世)
LM393DR TI(德州儀器)
OP07CDR TI(德州儀器)
TMS320C6678ACYPA TI(德州儀器)
FS32K144HFT0MLLT NXP(恩智浦)
RTL8111H-CG REALTEK(瑞昱)
ATXMEGA256A3U-AU Atmel(愛特梅爾)
STM32F767IGT6 ST(意法)
XC7K325T-2FFG676I XILINX(賽靈思)
UC2844BD1R2G ST(意法)
ADM3251EARWZ ADI(亞德諾)
TXB0108PWR TI(德州儀器)
MK64FN1M0VLQ12 NXP(恩智浦)
FS32K144HFT0MLHT NXP(恩智浦)
EP4CE6E22C8N ALTERA(阿爾特拉)
LM358DT XINBOLE(芯伯樂)
STM32F030CCT6 TI(德州儀器)
REF3030AIDBZR Burr-Brown(TI)
AT24C256C-SSHL-T Microchip(微芯)
STM32F429BIT6 ST(意法)
CC430F5137IRGZR TI(德州儀器)
TJA1042T/3/1 TI(德州儀器)
KLMBG2JETD-B041 SAMSUNG(三星)
LM3481QMMX/NOPB NS(國半)
MAX3485ESA UMW(友臺半導體)
AMC1200BDWVR TI(德州儀器)
LM324DR ST(意法)
TMS320VC33PGE150 TI(德州儀器)
DS3231SN Maxim(美信)
MIC2017YM6-TR Microchip(微芯)
STM32F407IGT6 ST(意法)
ATMEGA48PA-AU Microchip(微芯)
MK64FN1M0VLL12 Freescale(飛思卡爾)
XCF32PVOG48C XILINX(賽靈思)
AD7616BSTZ ADI(亞德諾)
EPM240T100C5N ALTERA(阿爾特拉)
STM32F405VGT6 ST(意法)
STM32L431RCT6 ST(意法)
PCF8563T/5 NXP(恩智浦)
88E1512-A0-NNP2I000 Marvell(美滿)
MPU-6050 TDK(東電化)
XC2C256-7CPG132I XILINX(賽靈思)
BSS138LT1G NXP(恩智浦)
STM32F427ZIT6 ST(意法)
ATXMEGA128A1U-AU Microchip(微芯)
TPS70933DBVR TI(德州儀器)
MPXAZ6115AP Freescale(飛思卡爾)
AD822ARZ ADI(亞德諾)
ADM3053BRWZ ADI(亞德諾)
IRF3205PBF IR(國際整流器)
MURA110T3G ON(安森美)
MC7448THX1267ND Freescale(飛思卡爾)
TMS5704357BZWTQQ1 TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-05B-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
TPS92630QPWPRQ1 TI(德州儀器)
GD32F303RCT6 GD(兆易創新)
10M04DAF256C8G ALTERA(阿爾特拉)
XC6SLX9-2TQG144I XILINX(賽靈思)
LAN8720A-CP-TR Microchip(微芯)
XTR115UA/2K5 Burr-Brown(TI)
PGA204BU TI(德州儀器)