TN1215-600B 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid TN1215-600B
Brand Name STMicroelectronics
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1482933431
零件包裝代碼 TO-252
包裝說明 DPAK-3
針數 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.30.00.80
Factory Lead Time 15 weeks
風險等級 1.22
Samacsys Description 12A standard SCRs
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.48
外殼連接 ANODE
配置 SINGLE
關態電壓最小值的臨界上升速率 200 V/us
最大直流柵極觸發電流 0.2 mA
最大直流柵極觸發電壓 1.5 V
最大維持電流 40 mA
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
通態非重復峰值電流 115 A
元件數量 1
端子數量 2
最大通態電流 12000 A
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
認證狀態 Not Qualified
最大均方根通態電流 12 A
斷態重復峰值電壓 600 V
重復峰值反向電壓 600 V
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
觸發設備類型 SCR

TN1215-600B 可控硅整流元件的研究與應用

引言

隨著電力電子技術的不斷發展，整流元件作為重要的電力電子元件之一，其性能與應用領域越來越廣泛。可控硅（Silicon Controlled Rectifier, SCR）由于其良好的電氣特性、較高的耐壓和負載能力，在電力轉化及控制系統中占有重要地位。TN1215-600B可控硅整流元件，作為一種高性能的可控硅器件，其主要特點和應用空間是當前電力電子技術研究的熱點之一。

TN1215-600B的結構與特性

TN1215-600B可控硅整流元件由多個組成部分構成，其結構主要包括：陽極、陰極、門極（或觸發極）以及絕緣散熱器。其外封裝設計使其能夠在高溫和高電壓等惡劣工作條件下穩定運行。所采用的硅基材料，具有良好的導電性和絕緣性，保證了元件的高電流和高電壓承載能力。

該可控硅整流元件的額定電流通常在600A范圍內，能夠承受的反向耐壓可達到1200V以上。其觸發電壓較低，控制靈敏度高，從而使得其在各類不同應用場合中的適應性得到了極大的增強。

可控硅的工作原理

可控硅是一種特殊類型的半導體器件，其工作原理基于PNPN結構。該結構包含四層摻雜半導體材料，按順序為P型、N型、P型和N型。在正常情況下，當可控硅處于關斷狀態時，陽極與陰極之間不導電。然而，當門極引入一定的觸發電流后，器件便進入導通狀態，陽極與陰極之間形成低阻抗通道。這一過程是可控硅獨特之處，使其可以通過調節觸發電流來控制電流的流動。

在導通后的狀態中，即使門極信號去除，可控硅仍然保持導通狀態，直到陽極電流減小到一定值（稱為維持電流）以下，才會恢復到關斷狀態。這一特性使得可控硅在電力調節、轉換和控制系統中具有廣泛的應用前景。

應用領域

TN1215-600B的廣泛應用源于其良好的性能和可靠性。首先，在電力控制系統中，TN1215-600B可用作整流橋，通過將交流電轉化為直流電，為后續的電力處理提供穩定的電源。此外，其在電機控制和調速方面也表現出色，結合先進的電機驅動技術，可對電機進行高效且精確的調節，從而提高整個系統的工作效率。

其次，該可控硅整流元件在新能源汽車電源管理系統中的應用也日益增加。隨著全球對環保與可持續發展的重視，電動汽車的推廣成為趨勢。在這過程中，TN1215-600B可在電池充電和能量回饋等場合發揮重要作用，確保系統的安全性和高效性。

另外，在工業領域，TN1215-600B還可應用于感應加熱系統、直流電源供給等多種場合。例如，在電解鍍金、鍍銀等工藝中，直流電源的穩定性顯得尤為重要，而可控硅的調節功能能夠有效滿足這一需求。

性能參數與可靠性

在實際應用中，TN1215-600B可控硅整流元件的性能取決于其關鍵參數。其額定電流、最大反向電壓、門極觸發電流和導通時壓降等參數，決定了元件在不同工況下的表現。在設計和應用過程中，工程師需認真分析這些參數，以確保可控硅在實際使用中的穩定性和安全性。

為提高TN1215-600B的可靠性，廠商通常會進行嚴苛的質量控制和測試。在生產過程中，采用先進的工藝技術和材料，保證器件的長期穩定性。此外，在使用過程中，適當的散熱與電氣隔離設計，也是提高其可靠性的關鍵因素。

發展挑戰

盡管TN1215-600B可控硅整流元件在多個領域展示了其優越性，但在發展過程中也面臨一些挑戰。首先，隨著功率電子技術的提高，市場對整流元件的要求日益嚴苛。在高頻、高溫及高電流等極端條件下，如何確保可控硅的工作性能，是當前研究的熱點之一。

其次，針對集成度日益提高的電力電子系統，單一的可控硅器件可能難以滿足所有應用需求。因此，多種類型的功率器件集成化成為一種趨勢，包括與MOSFET、IGBT等器件的聯合應用，以實現更高的轉換效率與更低的耗能。

另外，隨著可再生能源的崛起，如光伏發電、風能等，TN1215-600B的應用模式可能會出現新的轉變。研究人員需關注這些新興技術對整流元件提出的挑戰以及未來的發展方向，及時調整技術發展策略。

總而言之，TN1215-600B可控硅整流元件憑借其優良的性能和應用潛力，在現代電力電子技術中扮演著至關重要的角色。對于其未來的深入研究與應用，必將推動電力電子技術的持續進步。通過不斷優化性能和擴展應用領域，TN1215-600B有望在更加廣闊的市場中發揮其應有的作用。

STM32F334C8T6 ST(意法)
NT3H2111W0FHKH NXP(恩智浦)
TUSB1064RNQR TI(德州儀器)
VNH7100ASTR ST(意法)
GD32F470ZIT6 GD(兆易創新)
HMC347A Hittite Microwave
OPA547F TI(德州儀器)
STM32H725ZGT6 ST(意法)
ADP3339AKCZ-3.3 ADI(亞德諾)
R5F100FEAFP#10 Renesas(瑞薩)
PS2801-4 Renesas(瑞薩)
XC7Z007S-1CLG400C XILINX(賽靈思)
OP275GSZ ADI(亞德諾)
CD74HCT4067QM96Q1 TI(德州儀器)
EP3C5M164I7N ALTERA(阿爾特拉)
TPA2012D2RTJR Burr-Brown(TI)
MT9M001C12STM ON(安森美)
KSZ8001L MIC(昌福)
OP177FSZ ADI(亞德諾)
STM32H7A3VGT6 ST(意法)
ADM3054BRWZ ADI(亞德諾)
ADRF5045BCCZN ADI(亞德諾)
MC33FS6523CAE NXP(恩智浦)
MP1495SGJ-Z MPS(美國芯源)
GD32E103C8T6 GD(兆易創新)
LM2596T-ADJ TI(德州儀器)
ATSAMD51N20A-AU Microchip(微芯)
CC430F5137IRGZ TI(德州儀器)
LS1046ASE8T1A NXP(恩智浦)
LT1616ES6 LINEAR(凌特)
MAX9286GTN/V+T Maxim(美信)
OP177FSZ-REEL7 ADI(亞德諾)
NCS37010MNTWG ON(安森美)
STP160N75F3 ST(意法)
EPM7256SRC208-10 ALTERA(阿爾特拉)
STM32F103CBT7 ST(意法)
SURD8320T4G ON(安森美)
LT3021ES8-1.2 LINEAR(凌特)
H5AN4G6NBJR-UHC SK(海力士)
LMH6643MA NS(國半)
ADG333ABRZ ADI(亞德諾)
IRS2092S IR(國際整流器)
ADBMS1818ASWAZ
ADP7104ARDZ ADI(亞德諾)
MAX999EUK Maxim(美信)
STM32F402VCT6 ST(意法)
XC7K325T-2FFG900 XILINX(賽靈思)
SN74LVC1G11DCKR TI(德州儀器)
TPS62125DSGR TI(德州儀器)
TPS60403QDBVRQ1 TI(德州儀器)
LP38798SD-ADJ/NOPB TI(德州儀器)
TM4C1294NCPDTI3 TI(德州儀器)
ISO7742DWR TI(德州儀器)
25LC1024-I/SM Microchip(微芯)
MPC8270CVVUPEA Freescale(飛思卡爾)
LP2951ACD-3.3R2G ON(安森美)
ADS8689IPWR TI(德州儀器)
FAN5333BSX ON(安森美)
VND7NV04TR-E ST(意法)
ULN2003ADR2G ON(安森美)
STP16CPC26TTR ST(意法)
MSP430FR6972IPMR TI(德州儀器)
TPS7A7200RGTR TI(德州儀器)
F28388DZWTS TI(德州儀器)
LM74800QDRRRQ1 TI(德州儀器)
LP8867CQPWPRQ1 TI(德州儀器)
SN74LVC4245ADWR TI(德州儀器)
FDC5612 ON(安森美)
LM2576D2T-ADJR4G ON(安森美)
TLC6C598QPWRQ1 TI(德州儀器)
BQ24070RHLR TI(德州儀器)
EP3C16E144C8N INTEL(英特爾)
LNK306PN Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
ULN2003ANSR TI(德州儀器)
TPS2051BDR TI(德州儀器)
NL17SZ17DFT2G ON(安森美)
XC7A200T-2FBG676C XILINX(賽靈思)
LMZM23601V5SILT TI(德州儀器)
UCC21520DWR TI(德州儀器)
ACS711KEXLT-15AB-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
PD85004 ST(意法)
IS61WV25616BLL-10TLI ISSI(美國芯成)
XC7A35T-1FTG256I XILINX(賽靈思)
25LC512-I/SN Microchip(微芯)
INA225AIDGKR TI(德州儀器)
NTGD4167CT1G ON(安森美)
STM32F411RCT6 ST(意法)
AD5412ACPZ-REEL7 ADI(亞德諾)
NCP114AMX330TCG ON(安森美)
XCKU040-2FFVA1156E XILINX(賽靈思)
KSZ8995MA Micrel(麥瑞)
M27C256B-12F6 ST(意法)
TXS0108EZXYR TI(德州儀器)
89H32NT24AG2ZCHLGI IDT(Renesas收購)
FGL60N100BNTD ON(安森美)
NCP1595AMNR2G ON(安森美)
STM32F100RCT6B ST(意法)
MC14106BDR2G ON(安森美)
SKY13453-385LF Skyworks(思佳訊)
MMBTA42 ON(安森美)
PMV65XP NXP(恩智浦)
S34ML08G101TFI000 SPANSION(飛索)
MOC3023M LITEON(臺灣光寶)
TPD4E001DRLR TI(德州儀器)
EPC16QI100N ALTERA(阿爾特拉)
MC7815BDTRKG ON(安森美)
NTHD4102PT1G ON(安森美)
LP38798SD-ADJ TI(德州儀器)
MCIMX6D5EYM10AC Freescale(飛思卡爾)
MCP73831T-2ATI/OT Microchip(微芯)
SIT3088EESA SIT(芯力特)
TS3USB30ERSWR TI(德州儀器)
STM32H725IGK6 ST(意法)
10CL010YU256C8G ALTERA(阿爾特拉)
74HCT125D NXP(恩智浦)
IKCM15F60GA LS Research
STM32F427IGH6 ST(意法)
PIC18F47K42-I/PT Microchip(微芯)
MC33664ATL1EG Freescale(飛思卡爾)
K4B4G1646E-BCMA SAMSUNG(三星)
MX25L51245GMI-08G MXIC(旺宏)
SN74HC273N TI(德州儀器)
HI-8591PSI Holt Integrated Circuits Inc.
NCV1117DT50RKG ON(安森美)
FDD3672 ON(安森美)
STM32F071RBT6 ST(意法)
MK20DN512VLK10 NXP(恩智浦)
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B micron(鎂光)
IRFB4410ZPBF Vishay(威世)
KLMCG4JETD-B041 SAMSUNG(三星)
C8051F340-GQ SILICON LABS(芯科)
PIC16F690T-I/SS Microchip(微芯)
25AA128T-I/ST Microchip(微芯)
ADE7868AACPZ ADI(亞德諾)
MX25R1635FZUIL0 MXIC(旺宏)
DAC7562TDSCR TI(德州儀器)
PIC12F675T-I/SN MIC(昌福)
DSPIC30F5011-30I/PT Microchip(微芯)
MCP4921-E/P Microchip(微芯)
PIC18F26Q10-I/SS Microchip(微芯)
FS32K118LFT0MLFR NXP(恩智浦)
ADL5513ACPZ ADI(亞德諾)
MAX232EPE Maxim(美信)
PIC16F84A-04/P Microchip(微芯)
FNB80560T3 ON(安森美)
NCD5701ADR2G ON(安森美)
AD9913BCPZ ADI(亞德諾)
ADM4853ARZ ADI(亞德諾)
K4B4G1646E-BYK0 SAMSUNG(三星)
74HC595 NXP(恩智浦)
LPC2119FBD64 NXP(恩智浦)
TC58BVG1S3HTA00 TOSHIBA(東芝)
LMV358MX TI(德州儀器)
ADG411BRZ ADI(亞德諾)