LT1004MD-2-5在BC或DE段,TN和TP兩管中,總有一個工作在飽和區,另一個工作在可變電阻區,此時輸出電流比較大,傳輸特性變化比較快,兩管在″I=yDD/2處轉換狀態。

在CD段,由于TN和TP兩管均工作在飽和區,此時vI=/DD/2,電流JD達到最大值。在兩管均導通的過渡區域,由于電流較大,因而產生較大的功耗。使用時應避免使兩管長時間工作在此區域,以防止功耗過大而損壞。當%N<vI(yDD~|%P|時,TN和TP兩管同時導通。考慮到電路是互補對稱的,一器件可將另一器件視為它的漏極負載。還應注意到,器件在飽和區(放大區)呈現恒流特性,兩管之一可當作高阻值的負載。因此,在過渡區域,傳輸特性變化比較急劇。兩管在vI=yDD/2處于轉換狀態。

工作速度,CMOs反相器或CMOs電路用于驅動其他MOS器件時,其負載的輸人阻

抗是電容性的。由于電路具有互補對稱的性質,其參數莎pLH和苫pHL是相等的。圖3.1,12所示為當vI=0時,TN截止,Tp導通,由yDD通過TP向負載電容CL充電的情況。由于CMOs反相器中,兩管的gm值均設計得較大,其導通電阻較小,充電回路的時間常數較小。類似地,可分析電容CL的放電過程。CMOS反相器的平均傳輸延遲時間約為10ns。

CMOs系列邏輯門電路中,除上述介紹的非門(反相器)外,還有與非門、或非門、異或門等電路。并且實際的CMOs邏輯電路,多數都帶有輸入保護電路和緩沖電路。