Le7920-1JCJCBCCMOS邏輯集成器件從20世紀60年代末發展至今,由于制造工藝的不斷完善,它的技術參數從總體上來說已經達到或者超過TTL器仵的水平。例如,CMOS器件的功耗低、扇出數大、噪聲容限亦大,這些均是由于CMOs器件的固有特性所決定的。但也應注意到,這里講的功耗低是指靜態功耗(微瓦量級)而言。實際上,因為它的輸人電容約為10pF,當工作頻率較高時,其動態功耗隨頻率的增加而增加。CMOs門電路的動態功耗差別較大,一個典型的CMOs門電路的靜態功耗為0,01 mW左右。當工作頻率達到1 MHz時,功耗增加到0.5 mw左右。當頻率為10 MHz時,功耗為5 mw左右。

CMOS器件通常為單電源供電,而且電路對電源電壓范圍要求比較寬。最早的CMOS器件4000B系列的電源電壓可以是3~18V,但工作速度比較慢。后來推出的高速CMOS器件74HC系列電源電壓為2~6V,與TTL兼容的74HCT系列為4.5~5,5V。先進的CMOs系列74AHC/74AHCT系列工作速度是74HC/74HCT的兩倍。此外,尚有與TTL兼容的新系列74BCT(BiCMOs)。當電源電壓增加時,可減小傳輸延遲時間,增大噪聲容限,但功耗也隨之增加,當電源電壓為5V時,各CMOs系列的傳輸延遲時間不同,約為5~20ns。74HC/74HCT系列噪聲容限通常為電源電壓的40%左右。扇出數則隨工作頻率的增加而減少。CMOs器件發展至今,涌現出許多不同系列產品,表3.1.5所示為幾種CMOs系列器件的主要參數。各系列產品的參數也有很多,對于設計者,比較重要的參數是速度和功耗。