GA4F3P-T1 各管的導通電阻串聯
發布時間:2019/10/12 12:41:31 訪問次數:3509
GA4F3P-T1NMOS與非門電路,圖3.1.29所示為NMOS與非門電路 。其中Tl和T2為工作管 ,兩者串聯 ;TR為負載管 :當輸人A、 B中任一個為低電平時 ,與它對應的NMOS管截止 , 輸出為高 電平 ;僅當A、 B全為高電平時 ,所有工作管都導通 ,輸出才為低電平.可見電路具有與非功能 ,即L=A· B
NMOs或非門電路,圖3,1.30所示為NMOs或非門電路,其中T1和T2為工作管,兩者并聯;T3為負載管。當輸人A、B中任一個為高電平時,與它對應的MOs管導通,輸出為低電平;僅當A、B全為低電平時,所有工作管都截止,輸出才為高電平。電路具有或非功能,即
L=A+B
值得注意的是,當與非門輸人端增加時,串聯的管子也隨之增加。當輸人全為高電平時,各管的導通電阻串聯,使低電平輸出電壓升高,以致破壞正常邏輯功能。而或非門的工作管是并聯的,增加管子的個數不會影響低電平輸出電壓的穩定,因而NMOS門電路多以或非門為基礎,構成各種功能的邏輯電路。
CMOS邏輯門電路有哪些優點?
影響CMOS電路開關速度的主要因素是什么?
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漏極開路門的上拉電阻如何確定?它對開關速度有無影響?
為什么NMOs門電路多是以或非門作為基本門電路?
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L=A+B
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