MAX6445UK26L+T邏輯門電路的主要技術參數有輸入和輸出高、低電平的最大值或最小值,噪聲容限,傳輸延遲時間,功耗,延遲一功耗積,扇入數和扇出數等。

在數字電路中,不論哪一種邏輯門電路,其中的關鍵器件是MOS管或BJT。它們均可以作為開關器件。影響它們開關速度的主要因素是器件內部各電極之間的結電容。

CMOs邏輯門電路是目前應用最廣泛的邏輯門電路。其優點是集成度高,功耗低,扇出數大(指帶同類門負載),噪聲容限亦大,開關速度較高。CMOs邏輯門電路中,為了實現線與的邏輯功能,可以采用漏極開路門和三態門.

NMOs邏輯門電路結構簡單,易于集成化,曾在大規模集成電路中應用較多。

TTL邏輯門電路是應用較廣泛的門電路之一,電路由若干BJT和電阻組成。TTL反相器的輸入級由BJT構成,輸出級采用推拉式結構,其目的是為提高開關速度和增強帶負載的能力。

BiCMOS是取MOS和TTL兩者的優勢,其開關速度較高,功耗亦較低。

利用肖特基二極管構成抗飽和TTL電路,可以提高開關速度。

已ECL邏輯門電路是以差分放大電路為基礎的,它不工作在BJT的飽和

區,因而開關速度較高。其缺點是功耗較大,噪聲容限低。

砷化鎵邏輯門電路采用砷化鎵作為半導體材料,其載流子的遷移率非常高,因而其工作速度比硅器件快得多，廣泛應用于高頻電路中。

在邏輯體制中有正、負邏輯的規定本書主要采用正邏輯。邏輯門的等效符號常用于簡化電路的分析和設計．

在邏輯門的電路的實際應用中，有可能遇到不同類型門電路之間，門電路與負載之間的接口技術問題以及抗干擾工藝問題．正確分析與解決這些問題，是數字電路設計工作者應當掌握的．

用Verilog可以對邏輯門電路描述,即進行開關級建模。

MOS邏輯門電路

根據表題所列的三種邏輯門電路的技術參數，試選擇一種最適合工作在高噪聲環境下的門電路 。

求下列情況下TTL邏輯閘的扇出數 :(1)74LS門驅動同類門 ;(2)74LS門驅74ALS系列TTL門。

根據表題 所列的二種邏輯門電路的技術參數 ,計算出它們的延時一功耗積 ,并確定哪一種邏輯閘的性能最好 。

已知圖題所示各MOSFET管的|vT|=2v,忽略電阻上的壓降 ,試確定其工作狀態(導通或截止)．

習題中所用集成門電路的技術參數見附錄A．