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開關速度和工作頻率的不斷提高

發布時間:2020/4/1 12:51:44 訪問次數:744

XC61CN2802MRN中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域,其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅動器 SIC118xKQ SCALE-iDriver™現已通過AEC-Q100汽車級認證。新品件經過設定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅動電壓要求,并具有先進的安全和保護特性。

新器件將SCALE-iDriver的控制和安全特性與其高速FluxLink™通信技術的完美結合,與使用光耦器或電容性耦合器或磁性耦合器相比,Power Integrations為門極驅動器IC技術帶來了革命性變化。這種組合極大地提高了絕緣能力,并且使用極少的外部器件即可實現安全可靠、高性價比的300kW以下逆變器設計。

碳化硅MOSFET技術打開了通向更輕便小巧的汽車逆變器系統的大門。開關速度和工作頻率不斷提高;我們的低門極電阻值可用來維持高開關效率,而我們的快速短路響應可在發生故障時為系統提供及時保護。

                                                       

SCALE-iDriver在絕緣強度方面為功能安全樹立了新標準;即使功率器件導致了嚴重的驅動器故障,SCALE-iDriver的絕緣性能仍然完好無損,從而確保機箱的任何部分都不會有威脅生命的高壓存在。

新的單通道SIC118xKQ門極驅動器可提供高達8A的輸出電流,并且適合標準門極-發射極電壓最低為+15V,負電壓范圍介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有較強的外部磁場抗擾性能,采用緊湊的eSOP封裝,可提供≥9.5mm的爬電距離和電氣間隙,并且所采用的材料達到了最高CTI級(根據IEC 60112標準,CTI = 600)。

                          

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

(素材來源:eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

XC61CN2802MRN中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域,其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅動器 SIC118xKQ SCALE-iDriver™現已通過AEC-Q100汽車級認證。新品件經過設定后可支持常用SiC MOSFET的門極驅動電壓要求,并具有先進的安全和保護特性。

新器件將SCALE-iDriver的控制和安全特性與其高速FluxLink™通信技術的完美結合,與使用光耦器或電容性耦合器或磁性耦合器相比,Power Integrations為門極驅動器IC技術帶來了革命性變化。這種組合極大地提高了絕緣能力,并且使用極少的外部器件即可實現安全可靠、高性價比的300kW以下逆變器設計。

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新的單通道SIC118xKQ門極驅動器可提供高達8A的輸出電流,并且適合標準門極-發射極電壓最低為+15V,負電壓范圍介于-3V至-15V的SiC MOSFET。新器件具有較強的外部磁場抗擾性能,采用緊湊的eSOP封裝,可提供≥9.5mm的爬電距離和電氣間隙,并且所采用的材料達到了最高CTI級(根據IEC 60112標準,CTI = 600)。

                          

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