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芯片單位面積集成晶體管芯片功耗降低8%提供更長續航時間

發布時間:2023/4/14 13:27:14 訪問次數:78

先進的6nm EUV工藝。多層極紫外(EUV)光刻技術加持,工藝光源波長縮短到13.5nm,接近X射線的精度帶來了極高的光刻分辨率,使芯片的成本、性能和功耗達到了更好的平衡。相比上一代7nm,6nm EUV晶體管密度提高了18%,這將使芯片單位面積內集成更多的晶體管,芯片功耗降低8%,可提供更長的續航時間。

全球首款全場景覆蓋增強5G調制解調器。支持5G NR TDD+FDD載波聚合,以及上下行解耦技術,可提升超過100%的覆蓋范圍。基于紫光展銳創新的5G超級發射技術,可為小區近點提升60%上傳速率,解決了增強VR、4K/8K超高清視頻直播等業務需要更大上行帶寬的痛點。支持 Sub-6GHz 頻段和NSA/SA雙模組網,支持2G至5G七模全網通,在SA模式下,下行峰值速率超過3.25Gbps。虎賁T7520還支持領先的雙卡雙5G以及EPS Fall back、VoNR高清語音視頻通話。

MT41K256M16TW-107:P

廠牌

MICRON/美光

IC 類別

DDR3L SDRAM

IC代碼

256MX16 DDR3L

共通IC編號

產品詳情

腳位/封裝

FBGA-96(8*14mm)

外包裝

TRAY

無鉛/環保

無鉛/環保

電壓(伏)

1.35v

溫度規格

0°C~+85°C

速度

1866(MT/S)

標準包裝數量

1368

標準外箱

潛在應用

MOTHERBOARD MANU./主機板製造商

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/組裝代工廠/購買IC

Number Of Words

256M

Bit Organization

x16

Density

4G

Version

T

Product Family

DDR3 SDRAM

Die Revision

P

Max Clock Frequency

933 MHz

Production Status

Production


檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。

應用:

IGBT與功率MOSFET柵極驅動(預驅動)

交流電機和直流無刷電機控制

工業逆變器與不間斷電源(UPS)

光伏(PV)電源調節系統

(素材來源:ttic和21ic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕碩科技有限公司

先進的6nm EUV工藝。多層極紫外(EUV)光刻技術加持,工藝光源波長縮短到13.5nm,接近X射線的精度帶來了極高的光刻分辨率,使芯片的成本、性能和功耗達到了更好的平衡。相比上一代7nm,6nm EUV晶體管密度提高了18%,這將使芯片單位面積內集成更多的晶體管,芯片功耗降低8%,可提供更長的續航時間。

全球首款全場景覆蓋增強5G調制解調器。支持5G NR TDD+FDD載波聚合,以及上下行解耦技術,可提升超過100%的覆蓋范圍。基于紫光展銳創新的5G超級發射技術,可為小區近點提升60%上傳速率,解決了增強VR、4K/8K超高清視頻直播等業務需要更大上行帶寬的痛點。支持 Sub-6GHz 頻段和NSA/SA雙模組網,支持2G至5G七模全網通,在SA模式下,下行峰值速率超過3.25Gbps。虎賁T7520還支持領先的雙卡雙5G以及EPS Fall back、VoNR高清語音視頻通話。

MT41K256M16TW-107:P

廠牌

MICRON/美光

IC 類別

DDR3L SDRAM

IC代碼

256MX16 DDR3L

共通IC編號

產品詳情

腳位/封裝

FBGA-96(8*14mm)

外包裝

TRAY

無鉛/環保

無鉛/環保

電壓(伏)

1.35v

溫度規格

0°C~+85°C

速度

1866(MT/S)

標準包裝數量

1368

標準外箱

潛在應用

MOTHERBOARD MANU./主機板製造商

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/組裝代工廠/購買IC

Number Of Words

256M

Bit Organization

x16

Density

4G

Version

T

Product Family

DDR3 SDRAM

Die Revision

P

Max Clock Frequency

933 MHz

Production Status

Production


檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。

應用:

IGBT與功率MOSFET柵極驅動(預驅動)

交流電機和直流無刷電機控制

工業逆變器與不間斷電源(UPS)

光伏(PV)電源調節系統

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