標準包裝：100類別：電容器家庭：薄膜電容器系列：ECQ-V包裝：散裝電容：0.39μF容差：±5%額定電壓 - AC：-額定電壓 - DC：100V介電材料：聚酯，金屬化 - 層疊式ESR（等效串聯電阻）：-工作溫度：-40°C ~ 105°C安裝類型：通孔封裝/外殼：徑向大小/尺寸：0.402" 長 x 0.217" 寬（10.20mm x 5.50mm）高度 - 安裝（最大值）：0.591"（15.00mm）端接：PC 引腳引線間距：0.197"（5.00mm）應用：通用特性：-其它名稱：ECQV1394JMW

TrenchMOS 技術的邏輯電平 N 溝道 MOSFET。該產品設計符合 AEC Q101 標準，用于高性能汽車應用。特點 符合 AEC Q101 要求 重復雪崩級 額定工作溫度 175°C ，能在散熱要求高的環境中使用應用 12V 汽車系統 電機、燈泡和電磁控制 怠速熄火微型混合動力應用 傳動控制 超高性能電源開關產品種類:MOSFETRoHS:  技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:LFPAK56D-8通道數量:2 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續漏極電流:40 A

低邊開關是多功能功率晶體管，特別適合汽車和工業應用。它們內建的智能和保護特性不僅大幅降低了成本并減小了 PCB、縮短了上市時間，而且與常規、分立解決方案相比提高了性能和 & 可靠性。HITFET 智能低側開關通過超溫、短路、過流、過壓和 ESD 保護特性，提供了更高程度的保護。HITFET 在一個易于使用的器件中綜合了所有這些保護特性。憑借這些特性再加上英飛凌為世人所知的品質和可靠性，用戶大可放心，即使是最具挑戰性的應用要求，HITFET 也一定能夠滿足。

產品種類:電源開關 IC - 配電RoHS:  類型:Low Side輸出端數量:1 Output輸出電流:3.5 A電流限制:24 A導通電阻—最大值:50 mOhms工作電源電壓:- 0.2 V to 10 V電源電壓-最小:- 0.2 V電源電壓-最大:10 VPd-功率耗散:43 W最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 150 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3運行時間—最大值:100 us空閑時間—最大值:100 us系列:資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel產品:Power Switches

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