兩個功率MOSFET的HAT2210WP,尺寸僅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大)，用于筆記本電腦、通信設備及類似產品的DC-DC變換器中。

低熱阻由于使用了WPAK高熱輻射封裝，與目前SOP-8封裝的HAT2210R相比，熱阻減小了一半。可以控制的輸出電流也提高了大約50%，因此可以減少具有高電流處理能力的DC-DC變換器所需要的功率MOSFET的數目。

與SOP-8封裝的安裝面積相同，但厚度僅有它的一半(0.8 mm (最大)。HAT2210WP需要的安裝面積與業界標準的SOP-8封裝一樣，是5.3 × 6.1 mm；但厚度大約僅是它的一半，為0.8 mm (最大)，使得DC-DC變換器可以做得更小巧。

安裝在信息設備如筆記本電腦和服務器中的存儲器、ASIC和其它芯片需要不同的驅動電壓，因此，需要使用一些DC-DC變換器。這些DC-DC變換器需要兩個功率MOSFET，分別用于高邊和低邊*2應用。瑞薩科技目前大量生產的產品，具有兩個功率MOSFET，封裝形式是SOP-8封裝，可以滿足較小DC-DC變換器的需要。但是，各種芯片處理的數據量越來越大，需要可以處理更大電流、安裝更多功率MOSFET的DC-DC變換器。

在這樣的背景下，瑞薩科技開發出了新型HAT2210WP，它使用WPAK高熱輻射封裝，可以提高可以控制的電流量，實現更高的DC-DC變換器電流容量，并減少安裝的功率MOSFET的數目。

HAT2210WP安裝在印刷電路板（40 × 40 × 1.6 mm玻璃環氧板單個功率MOSFET操作）上時的熱阻，從瑞薩科技目前SOP-8封裝產品的110oC/W，下降了一半，達到55oC/W。因此，可以控制的輸出電流提高了50%多，從SOP-8產品的3A，提高到了5 A。當ASIC和其它芯片的驅動電流超過3 A，進入4 A－ 5 A范圍時，單個HAT2210WP就可以控制5 A的輸出電流，而先前需要兩個SOP-8封裝的具有兩個功率MOSFET的產品，因此，HAT2210WP使得DC-DC變換器可以做得更小。

由于安裝了高邊和低邊功率MOSFET，使用分裂漏結構。使用瑞薩科技最新的0.35 μm工藝的第8代功率MOSFET，具有業界的最高性能，設計時進行了優化，使高邊MOSFET具有高開關速度、低邊MOSFET具有低導通電阻，因此可以實現很高的效率，從而滿足DC-DC變換器低壓輸出的需要。

在低邊MOSFET中有一個肖特基勢壘二極管，減小了MOSFET和肖特基勢壘二極管之間的接線電感*3。在DC-DC變換器死區時間過程中，可以加速肖特基勢壘二極管的換向，從而消除效率惡化，并減小噪聲。

在電路板上分配電力的傳統方法基本上有兩種：第一種是把48 V變成3.3 V的輸出電壓，然后再用負載點（POL）變換器把3.3 V變換成負載點所需要的電壓。一般地說，在電路板上最需要的就是3.3 V，所以選擇3.3 V作為母線電壓，這樣做的益處是，只需要一次變換，不存在多級變換的方案中每級都存在的損耗。另外一個方法是，先把48 V變換為12 V，然后再把12 V的母線電壓變換成為負載點電壓，并不是直接把12 V送到負載上。這個方案比較適合功率較高的電路板使用。

這兩種分布式供電方案各有長處，也各有它的缺點。如果電路板上主要的負載需要3.3 V的工作電壓，而且在整個電路板上有多處需要3.3 V，在這種情況下，一般是采用母線電壓為3.3 V的分布式供電系統。之所以采用這個方案通常是為了減少電路板上兩級電壓轉換的數量，從而提高輸出功率最大的電源的效率。但是，在使用母線電壓為3.3 V的分布式供電系統時，它還為每個負載點變換器供給電力。這些負載點變換器產生其他負載所需要的工作電壓。另一個問題是，3.3 V輸出需要在電路中使用一只控制順序的FET晶體管。

在線路卡上，大多數工作電壓需要對接通電源和切斷電源的順序加以控制。 在這種分布式系統中，只能用電路中的順序控制FET晶體管來進行控制。因為在隔離式轉換器中，沒有對輸出電壓的上升速度進行控制。在電路中的順序控制FET晶體管只是在啟動和切斷電源時才用得上。在其他時間，這些FET晶體管存在直流損失，會影響效率，增加了元件數量，也提高了成本。由于工作電壓一年一年地在下降，在將來，工作電壓將下降到2.5 V。

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