NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，擴充了智能功率模塊（IPM）產品陣容，包括額定電壓650 V和1200 V，以及額定電流10 A至75 A。

三相逆變器集成了額定短路的溝槽型絕緣門雙極晶體管（Trench IGBT）、快速恢復二極管、門極驅動器、自舉電路、可選的NTC熱敏電阻和保護，通過一個額定2500 Vrms /分鐘的隔離提供緊湊可靠的模塊，獲UL1557認證。這些IPM具有直接鍵合銅基板和低損耗硅的特性，延長功率循環壽命和散熱能力。

通過片上電流隔離，NCD57000和NCD57001 IGBT門極驅動器透過減低系統復雜性實現緊湊、高效和可靠的門極驅動器設計。這些器件分別提供4 A/6 A供應電流和汲取電流，同時還集成了去飽和(DESAT)、米勒鉗位、欠壓鎖定（UVLO）保護、使能（Enable）和穩壓VREF。

智慧城市已經從概念逐漸走向落地，很多全球頂尖的城市已經在推行，這是一大趨勢。人們都希望城市和出行更加智能、高效、安全，ST會通過半導體解決方案及合作伙伴實現這個目標。

在工業應用場景里面，電子系統正在變得越來越智能，工廠的生產線也會變得智能，如功率、能源等都是智能的，利用ST創新的技術可以為工業設備廠商節省成本。

全球工業電機裝機量達到3億臺，并且每年都保持約10％的增幅，電機用電量占總用電量近30％，因此，降低電機功耗的必要性變得越來越重要。如氮化鎵和碳化硅提升電力能源的轉化效率，ST推出工業用第二代碳化硅650V ／ 1200V MOSFET，該產品內置嵌入式體二極管，即使在高溫條件下，開關損耗和功率也能保持極低的損耗，有助于工業設備降低功耗，縮減體積，降低重量。

在電力和能源管理領域，ST提供幾瓦到千瓦級的解決方案，我們的技術可以得到高度集成，為客戶帶來智能化、連接性的解決方案，可以實現硅在高低壓及不同材料應用上的正常使用。

當客戶在進行功率控制時，ST能夠將不同微控制器、BCD和高壓MOSFET有效地組合在一起，帶來完整的、高集成度的解決方案。

隨著智能技術的發展，傳感器也需要更加智能。為了提升傳感器的精度和處理能力。ST傳感器通過數據搜集形成了自有的算法，我們的MEMS傳感器已經可以做到運動、振動、角速度、溫度、濕度等的控制和校準，目前在可穿戴式設備上應用廣泛。

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