晶體管在切換電子信號時的動態功率消耗與電容成正比，它們才可以在速度更快的同時，做到更加省電。這就是為什么當制程工藝提升后，芯片的性能和能效都能實現跨越。

當柵極寬度逼近20nm時，柵極對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高，對生產工藝的難度要求也上了一個臺階，而工藝繼續微縮，硅晶體管的尺寸縮小到一定程度（業內認為小于10nm）時會產生量子效應，導致晶體管的特性將更加難以控制，這時候對于芯片的制造生產難度顯然成倍增長。

高通推出驍龍835，采用10nm FinFET工藝節點的移動平臺，為用戶打造了突破性的性能和出色的能效表現。并在2018年的旗艦產品驍龍845移動平臺上延續了領先的性能體驗。

主要特性和優勢額定峰值脈沖功率：PTVS系列，PPPM = 400 W（3.3 V時為350 W）：MMBZ系列，PPPM = 24，最高40 W與采用相同或相似封裝的產品相比，峰值脈沖功率翻倍采用小型塑料封裝SOD123W/高度極低(2.7x1.7x1 mm)與SMA封裝相比，電路板空間減少50%PTVS的反向關態電壓范圍：VRWM = 3.3-64 V (MMBZ)：VRWM = 8.5-26 V與SMA封裝相比，高度降低50%符合AEC-Q101標準極低泄漏電流

Adreno 630配置了4個著色器核心（shader cores），通過硬連線加速邏輯來提升其性能，這種邏輯比可編程內核更為緊湊，因此可以在更小的面積上實現更高的性能。我們前面說到，面積更小，能效比更好，根據國外著名芯片級拆解機構TechInsightsAdreno的研究，Adreno? 630的芯片面積只有10.11平方毫米，優于市場上其他產品。

隨著移動終端芯片制程工藝的進化、提高，對移動處理平臺的玩家們在技術功底和資金投入方面的考驗也越來越大，而高通憑借其在制程工藝、連接、GPU等方面的領先，無疑令其在后續的競爭中占據更多優勢，也讓人期待他們在下一代移動平臺上面的表現。其實智能手機，或者說其他移動終端，性能過剩都是偽命題，硬件上不斷突破，軟件生態才能逐漸形成，兩者互相促進的能量才能最大化釋放。未來是萬物互連，萬物智能的時代，而高通提供的這系基礎技術和產品，將成為這個時代不可或缺的“水電煤”。