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單個2.5/3.3 V電源的片上穩壓器特性

發布時間:2020/11/19 22:53:18 訪問次數:1035

人數統計原型傳感器整合了施耐德電氣獨有的超低功耗LYNRED ThermEyeTM系列熱成像傳感器,意法半導體最近推出的高性能STM32H723 MCU,以及基于Yolo的神經網絡模型。

這項前景廣闊的技術解鎖一項新的樓宇居住率監測和人流量統計方案,適用于監測排隊、建筑使用率、社交距離等多種應用場景。我們與ST合作開發的創新的演示原型不僅適用于酒店、辦公室、百貨零售等場所,也適用任何需要掌握人流量及空間使用率等情況的任何場景。這將重新定義未來建筑。

項目證明深度學習能夠提升嵌入式數據處理性能,展示了如何在基于經濟型微控制器的系統平臺上運行高價值的應用軟件。我們的STM32Cube.AI生態系統使用戶能夠在很短的時間內開發出靈活的解決方案,利用我們技術團隊的支持服務克服工程挑戰,客戶可以享受更高的設計效率。

全新MachXO3D的主要特性包括:

該控制FPGA提供4K和9K查找表、用于實現上電時從器件閃存即時配置的邏輯

用于單個2.5/3.3 V電源的片上穩壓器

支持最大2700 Kbit的用戶閃存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式塊RAM,讓設計選擇更加靈活

高達383個I/O,可配置為支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有熱插拔、默認下拉、輸入遲滯和可編程壓擺率等功能的各類系統環境中

嵌入式安全模塊,為ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全ID等加密功能提供預驗證硬件支持

嵌入式安全配置引擎,可確保只安裝可靠來源的FPGA配置

雙片上配置存儲器,可在發生故障時對組件固件進行重新編程

在ST Live Days上運行演示應用的STM32H723 MCU完全勝任運行AI應用,因為這款產品的內核性能優異,閃存容量高達1Mbyte,提供高速片外存儲器接口,以及各種傳感器接口。

NVG800A75L4DSC/D是用于汽車的750V 800A雙面冷卻的半橋功率模塊,具有緊湊的占位面積.模塊包括半橋配置的兩個場截止式4(FS4) 750V窄臺襯底IGBT.芯片組采用新的窄臺襯底IGBT技術,以提高大電流密度和強健的短路保護能力和更高的阻斷電壓,為電動汽車(EV) 牽引動力提供杰出的性能.器件集成了芯片級溫度和電流傳感器,連續工作溫度Tvj max = 175C.具有超低的寄生電感和低VCESAT和開關損耗,采用汽車級FS4和快速二極管芯片技術,DBC襯底隔離4.2kV,具有AEC資質和生產件批準程序(PPAP).主要用在混合和電動汽車牽引動力逆變器和大功率DC/DC轉換器.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


人數統計原型傳感器整合了施耐德電氣獨有的超低功耗LYNRED ThermEyeTM系列熱成像傳感器,意法半導體最近推出的高性能STM32H723 MCU,以及基于Yolo的神經網絡模型。

這項前景廣闊的技術解鎖一項新的樓宇居住率監測和人流量統計方案,適用于監測排隊、建筑使用率、社交距離等多種應用場景。我們與ST合作開發的創新的演示原型不僅適用于酒店、辦公室、百貨零售等場所,也適用任何需要掌握人流量及空間使用率等情況的任何場景。這將重新定義未來建筑。

項目證明深度學習能夠提升嵌入式數據處理性能,展示了如何在基于經濟型微控制器的系統平臺上運行高價值的應用軟件。我們的STM32Cube.AI生態系統使用戶能夠在很短的時間內開發出靈活的解決方案,利用我們技術團隊的支持服務克服工程挑戰,客戶可以享受更高的設計效率。

全新MachXO3D的主要特性包括:

該控制FPGA提供4K和9K查找表、用于實現上電時從器件閃存即時配置的邏輯

用于單個2.5/3.3 V電源的片上穩壓器

支持最大2700 Kbit的用戶閃存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式塊RAM,讓設計選擇更加靈活

高達383個I/O,可配置為支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有熱插拔、默認下拉、輸入遲滯和可編程壓擺率等功能的各類系統環境中

嵌入式安全模塊,為ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全ID等加密功能提供預驗證硬件支持

嵌入式安全配置引擎,可確保只安裝可靠來源的FPGA配置

雙片上配置存儲器,可在發生故障時對組件固件進行重新編程

在ST Live Days上運行演示應用的STM32H723 MCU完全勝任運行AI應用,因為這款產品的內核性能優異,閃存容量高達1Mbyte,提供高速片外存儲器接口,以及各種傳感器接口。

NVG800A75L4DSC/D是用于汽車的750V 800A雙面冷卻的半橋功率模塊,具有緊湊的占位面積.模塊包括半橋配置的兩個場截止式4(FS4) 750V窄臺襯底IGBT.芯片組采用新的窄臺襯底IGBT技術,以提高大電流密度和強健的短路保護能力和更高的阻斷電壓,為電動汽車(EV) 牽引動力提供杰出的性能.器件集成了芯片級溫度和電流傳感器,連續工作溫度Tvj max = 175C.具有超低的寄生電感和低VCESAT和開關損耗,采用汽車級FS4和快速二極管芯片技術,DBC襯底隔離4.2kV,具有AEC資質和生產件批準程序(PPAP).主要用在混合和電動汽車牽引動力逆變器和大功率DC/DC轉換器.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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