相控陣波束轉向示例。波前從兩個不同方向射向四個天線元件。在接收路徑上的每個天線元件后面都會產生延時，之后所有四個信號再匯總到一起。延時與波前到達每個元件的時間差一致。產生的延時會導致四個信號同相到達合并點。

這種一致的合并會增強組合器輸出的信號。產生的延時相同，波前與天線元件垂直。現在產生的延時與四個信號的相位不一致，因此組合器輸出會被大幅削弱。

在相控陣中，延時是波束轉向所需的可量化變量。但也可以通過相移來仿真延時，這在許多實現中是十分常見且實用的做法。

英飛凌200 - 250 v

HEXFET®功率場效應管

英飛凌200-250V HEXFET®Power mosfet®Power mosfet提供多種mosfet，包括各種封裝、電流和RDS(on)評級。這些200-250V HEXFET®功率mosfet采用最新的加工技術，以實現低通電阻每硅區。這一優勢，再加上英飛凌HEXFET®Power mosfts的快速開關速度和堅固耐用的設備設計，為設計師提供了一個非常高效和可靠的設備，可用于多種應用。

產品種類:MOSFETRoHS:  技術:Si安裝風格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3通道數量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:200 VId-連續漏極電流:94 A

RF信號源與線性陣列相隔較遠。如果RF源較遠，則球形波前的大半徑會導致大致平行的波傳播路徑。所有波束角均相等，每個相鄰元件的路徑長度(L = d × sinθ)均超過隔壁元件。這樣簡化了數學計算，意味著我們推導出來的雙元件等式可以應用到數千個元件，但前提是這些元件間隔相同。

D表示天線直徑（對于等間隔線性陣列為(N-1) × d）

對于小型陣列（D值小）或低頻（λ值大），遠場距離較小。但對于大型陣列（或高頻），遠場距離可能長達數千米,這樣測試和校準陣列就十分困難。對于這類情況，可以使用更為詳細的近場模型，然后再按比例擴展到真實世界使用的遠場陣列。

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